↓ Direkt till sidans innehåll
↓ Direkt till sidans sekundära innehåll (sidomenyn)

Träfflista för sökning "WFRF:(KANSKI J) srt2:(2005-2009)"

Sökning: WFRF:(KANSKI J) > (2005-2009)

Resultat 1-10 av 13

Sortera/gruppera träfflistan

Sortering: Träffar per sida:

Numrering	Referens	Omslagsbild	Hitta
1.	Kowalski, B.J., et al. (författare) Surface and electronic structure of Ga0.92In0.08N thin film investigated by photoelectron spectroscopy 2005 Ingår i: Thin Solid Films. ; 476, s. 396- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
2.	Adell, M., et al. (författare) Photoemission study of the valence band offset between low temperature GaAs and (GaMn)As 2006 Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 89:17 Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract Using synchrotron based photoelectron spectroscopy (GaMn) AsGaAs interfaces prepared in situ by low temperature molecular beam epitaxy have been studied. No band offset between the two systems is observed. The continuous transition is explained as an effect of dilution of the (GaMn)As by GaAs adlayers.
3.	Glover, C. J., et al. (författare) Stationary and dispersive features in resonant inelastic soft X-ray scattering at the Ge 3p resonances 2009 Ingår i: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. - : Elsevier BV. - 0368-2048 .- 1873-2526. ; 173:2-3, s. 103-107 Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract Resonant inelastic soft X-ray scattering at the 3p resonances in crystalline Ge is presented. Both stationary and dispersive features are observed in a wide energy range above as well as below the ionization limits. These observations are in agreement with theoretical predictions based on a two-step model where the initially excited electron has no influence on the emission step. Excess population of states in the conduction band is found, and discussed in terms of attosecond electron dynamics. (c) 2009 Elsevier B.V. All rights reserved.
4.	Adell, Martin, 1976, et al. (författare) Mn enriched surface of (GaMn)As layers annealed under arsenic capping 2007 Ingår i: Physical Review B. ; 75, s. 54415- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
5.	Sadowski, J., et al. (författare) How to make GaMnAs with high ferromagnetic phase transition temperature 2006 Ingår i: Materials Science Poland. ; 24, s. 617- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
6.	Sadowski, J., et al. (författare) Self-organized MnAs quantum dots formed during annealing of GaMnAs under arsenic capping 2005 Ingår i: Applied Physics Letters. ; 87, s. 263114- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
7.	Sadowski, J., et al. (författare) Solid Phase Epitaxy of Feromagnetic MnAs layer and Quantum Dots on Annealed GaMnAs 2005 Ingår i: Acta Phys Polonica A. ; 108, s. 851-858 Tidskriftsartikel (refereegranskat)
8.	Stanciu, V., et al. (författare) Influence of annealing parameters on the ferromagnetic properties of optimally passivated (Ga,Mn)As epilayers 2005 Ingår i: Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics. - 1098-0121 .- 1550-235X. ; 72:12 Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract The influence of annealing parameters—temperature (Ta) and time (ta)—on the magnetic properties of As-capped (Ga,Mn)As epitaxial thin films has been investigated. The dependence of the transition temperature (TC) on ta marks out two regions. The TC peak behavior, characteristic of the first region, is more pronounced for thick samples, while for the second ("saturated") region the effect of ta is more pronounced for thin samples. A right choice of the passivation medium, growth conditions along with optimal annealing parameters routinely yield TC-values of ~150 K and above, regardless of the thickness of the epilayers
9.	Adell, Martin, 1976, et al. (författare) Comment on "Mn Interstitial Diffusion in (Ga,Mn)As" 2005 Ingår i: Physical Review Letters. ; 94, s. 139701- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
10.	Adell, Martin, 1976, et al. (författare) Photoemission study of the valence band offset between LT-GaAs and (GaMn)As 2006 Ingår i: Applied Physics Letters. ; 89, s. 172509- Tidskriftsartikel (refereegranskat)

Skapa referenser, mejla, bekava och länka

Länka till träfflistan

Resultat 1-10 av 13

Avgränsa träffmängd

Typ av publikation: tidskriftsartikel (13)

Typ av innehåll: refereegranskat (13)

Författare/redaktör: Sadowski, J. (11); Kanski, Janusz, 1946 (10); Adell, Martin, 1976 (7); Ilver, Lars, 1949 (6); Stanciu, V. (4); Svedlindh, P (4); visa fler...; Domagala, J.Z. (3); Kanski, J (3); Lusakowska, E. (3); Adell, Johan, 1980 (2); Adell, M (2); Ilver, L (2); Terki, F (2); Charar, S (2); Warnicke, P. (2); Brucas, Rimantas, 19 ... (2); Hanson, Maj, 1939 (2); Wilhelmsson, O (2); Janik, E. (2); Hernandez, C. (1); Adell, J. (1); Adell, Martin (1); Domagala, JZ (1); Göthelid, Mats (1); Karlsson, Ulf O. (1); Szamota-Leandersson, ... (1); NORDGREN, J (1); Agåker, Marcus (1); Mårtensson, Nils (1); Ahuja, R (1); Mattesini, M. (1); Kjeldgaard, Lisbeth (1); Rubensson, J. -E. (1); Schmitt, T. (1); Kret, S. (1); Bexell, Ulf (1); Bexell, U. (1); Le Lay, G. (1); Hernández Rodríguez, ... (1); Kowalski, B. J. (1); Glover, C. J. (1); Grzegory, I (1); Porowski, S (1); Leszczynski, M. (1); Maude, D (1); Kowalik, I. A. (1); Iwanowski, R.J. (1); Orlowski, B.A. (1); Ghijsen, J. (1); Mirabella, F. (1); visa färre...

Lärosäte: Chalmers tekniska högskola (10); Uppsala universitet (4); Lunds universitet (3); Kungliga Tekniska Högskolan (1); Högskolan Dalarna (1)

Språk: Engelska (13)

Forskningsämne (UKÄ/SCB): Naturvetenskap (6); Teknik (6)

År

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
LIBRIS.kb.se

pil uppåt

Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy