SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Larsen PK)
 

Sökning: WFRF:(Larsen PK) > (2005-2009) > Optical study of Al...

Optical study of AlGaN/GaN based HEMT structures grown on sapphire and SiC

Ochalski, TJ (författare)
Grzegorczyk, A (författare)
Rudzinski, M (författare)
visa fler...
Larsen, PK (författare)
Holtz, Per-Olof (författare)
Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
Bergman, Peder (författare)
Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
Paskov, Plamen (författare)
Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
visa färre...
 (creator_code:org_t)
Wiley, 2005
2005
Engelska.
Ingår i: Physica Status Solidi (a) applications and materials science. - : Wiley. - 1862-6300 .- 1862-6319. ; 202:7, s. 1300-1307
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • A detailed photoluminescence (PL), time-resolved photoluminescence (TRPL), and photoreflectance (PR) analysis of AlGaN/GaN heterostructures grown on different substrates: sapphire and silicon carbide (SiC) is presented in this paper. The properties of high electron mobility transistors (HEMTs) based on AlGaN/GaN structures are strongly dependent on the quality of the AlxGa1-xN top layer. We have examined a number of samples, grown on sapphire, in which the thicknesses of the Al0.3Ga0.7N layers vary from 18 to 75 nm. Room temperature PL under pulsed 266 nm excitation allowed for determination of the AI content in the examined thin AlGaN layers. Time-resolved PL measured at 1.6 K showed huge difference in the emission dynamics for different Al0.3Ga0.7N layer thicknesses. We observed an enormous increase of the emission decay time above the critical thickness of the AlGaN layer. PR spectra (associated with the GaN main layer) measured on AlGaN/GaN systems are discussed in terms of the thickness of the capping layer. The PR modulated by a high power 266 nm pulsed laser measured on a transistor structure exhibited an additional feature placed between signals related to the GaN and AlGaN layers, respectively. Such a transition is possible to monitor only for the structures of the best quality and is accordingly observable only on samples grown on SiC. (c) 2005 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Nyckelord

TECHNOLOGY
TEKNIKVETENSKAP

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy