↓ Direkt till sidans innehåll
↓ Direkt till sidans sekundära innehåll (sidomenyn)

Träfflista för sökning "WFRF:(Olsson Jörgen) srt2:(2005-2009)"

Sökning: WFRF:(Olsson Jörgen) > (2005-2009)

Resultat 1-10 av 82

Sortera/gruppera träfflistan

Sortering: Träffar per sida:

Numrering	Referens	Omslagsbild	Hitta
1.	Sjöblom, Gustaf, et al. (författare) Investigation of the Thermal Stability of Reactively Sputter Deposited TiN MOS Gate Electrodes 2005 Ingår i: IEEE Transactions on Electron Devices. - 0018-9383. ; 52:10, s. 2349-2352 Tidskriftsartikel (refereegranskat)
2.	Westlinder, Jörgen, et al. (författare) Investigation of Ta2O5 thin film MIM capacitors in the RF regime 2005 Ingår i: Proceedings of GHz2005 Symposium. ; , s. 311-314 Konferensbidrag (övrigt vetenskapligt/konstnärligt)
3.	Westlinder, Jörgen, et al. (författare) Low-resistivity ZrNx metal gate in MOS devices 2005 Ingår i: Solid-State Electronics. - 0038-1101. ; 49:8, s. 1410-1413 Tidskriftsartikel (refereegranskat)
4.	Abermann, Stephan, et al. (författare) Comparative Study On The Impact Of TiN and Mo Metal Gates ON MOCVD-Grown HfO2 and ZrO2 High-k Dielectrics For CMOS Technology 2006 Ingår i: Proceedings of 28th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS). Konferensbidrag (refereegranskat)
5.	Abermann, S., et al. (författare) Impact of Al-, Ni-, TiN-, and Mo-metal gates on MOCVD-grown HfO2 and ZrO2 high-k dielectrics 2007 Ingår i: Microelectronics and reliability. - : Elsevier BV. - 0026-2714 .- 1872-941X. ; 47:4-5, s. 536-539 Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract In this work we compare the impacts of nickel (Ni), titanium-nitride (TiN), molybdenum (Mo), and aluminium (Al), gates on MOS capacitors incorporating HfO2- or ZrO2-dielectrics. The primary focus lies on interface trapping, oxide charging, and thermodynamical stability during different annealing steps of these gate stacks. Whereas Ni, Mo, and especially TIN are investigated as most promising candidates for future CMOS devices, Al acted as reference gate material to benchmark the parameters. Post-metallization annealing of both, TiN- and Mo-stacks, resulted in very promising electrical characteristics. However, gate stacks annealed at temperatures of 800 degrees C or 950 degrees C show thermodynamic instability and related undesirable high leakage currents.
6.	Abermann, S, et al. (författare) Impact of Al-, Ni-, TiN-, and Mo metal gates on MOCVD-grown HfO2 and ZrO2 high-K dielectrics 2006 Konferensbidrag (refereegranskat)
7.	Abermann, S., et al. (författare) Processing and evaluation of metal gate/high-k/Si capacitors incorporating Al, Ni, TiN, and Mo as metal gate, and ZrO2 and HfO2 as high-k dielectric 2007 Ingår i: Microelectronic Engineering. - : Elsevier BV. - 0167-9317 .- 1873-5568. ; 84:5-8, s. 1635-1638 Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract We evaluate various metal gate/high-k/Si capacitors by their resulting electrical characteristics. Therefore, we process MOS gate stacks incorporating aluminium (Al), nickel (Ni), titanium-nitride (TiN), and molybdenum (Mo) as the gate material, and metal organic chemical vapour deposited (MOCVD) ZrO2 and HfO2 as the gate dielectric, respectively. The influence of the processing sequence - especially of the thermal annealing treatment - on the electrical characteristics of the various gate stacks is being investigated. Whereas post metallization annealing in forming gas atmosphere improves capacitance-voltage behaviour (due to reduced interface-, and oxide charge density), current-voltage characteristics degrade due to a higher leakage current after thermal treatment at higher temperatures. The Flatband-voltage values for the TiN-, Mo-, and Ni-capacitors indicate mid-gap pinning of the metal gates, however, Ni seems to be thermally unstable on ZrO2, at least within the process scheme we applied.
8.	Abermann, S., et al. (författare) Processing and evaluation of metal gate/high-k/Si capacitors incorporating Al, Ni, TiN, and Mo as metal gate, and ZrO2 and HfO2 as high-k dielectric 2006 Ingår i: Presented at Int. Conf. on Micro- and Nano-Engineering. Konferensbidrag (övrigt vetenskapligt/konstnärligt)
9.	Anderås, Emil, et al. (författare) Resistance Electric Field Dependence and Time Drift of Piezoresistive Single Crystalline Silicon Nanofilms 2009 Ingår i: Proceedings of Eurosensors May 2009, Procedia Chemistry vol 1 (1). ; , s. 80-83 Konferensbidrag (refereegranskat)
10.	Ankarcrona, Johan, et al. (författare) Analysis of crosstalk in SOI substrates 2005 Ingår i: Proceedings of GHz2005 Symposium. ; , s. 131-134 Konferensbidrag (refereegranskat)

Skapa referenser, mejla, bekava och länka

Länka till träfflistan

Resultat 1-10 av 82

Avgränsa träffmängd

Typ av publikation: konferensbidrag (36); tidskriftsartikel (33); doktorsavhandling (7); rapport (1); bok (1); annan publikation (1); visa fler...; forskningsöversikt (1); bokkapitel (1); licentiatavhandling (1); visa färre...

Typ av innehåll: refereegranskat (64); övrigt vetenskapligt/konstnärligt (16); populärvet., debatt m.m. (2)

Författare/redaktör: Olsson, Jörgen (45); Vestling, Lars (23); Olsson, Jörgen, 1966 ... (12); Vallin, Örjan (12); Bengtsson, Olof (11); Smith, Ulf (10); visa fler...; Martin, David (10); Sjöblom, Gustaf (9); Eklund, Klas-Håkan (9); Katardjiev, Ilia (7); Ankarcrona, Johan (7); Uller, Tobias, 1977 (6); Olsson, Mats, 1960 (5); Lu, Jun (4); Abermann, S. (4); Bertagnolli, E. (4); Warnhammar Finnborg, ... (3); Hultborn, Ragnar, 19 ... (3); Efavi, J. (3); Bäck, Tom, 1964 (3); Lindegren, Sture, 19 ... (3); Palm, Stig, 1964 (3); Andersson, Håkan, 19 ... (3); Elgqvist, Jörgen, 19 ... (3); Jacobsson, Lars, 194 ... (3); Yantchev, Ventsislav (3); Olsson, Marita, 1965 (3); Lu, J. (2); Svensson, Ingvar L (2); Hellström, Per-Erik (2); Östling, Mikael (2); Lemme, Max (2); Påhlman, Lars (2); Smedh, Kennet (2); Lindblom, Annika (2); Rutegård, Jörgen (2); Johansson, Bengt R, ... (2); Ericson, Lars (2); Jensen, Holger (2); Olsson, Louise (2); Hjältén, Joakim (2); Johansson, Therese (2); Jonsson, Bengt Gunna ... (2); Larsen, Mattias (2); Seifeddine, Salem (2); Lindforss, Ulrik (2); Wessen, Magnus (2); Olsson, Jörgen, Prof ... (2); Stenlund, T. (2); Qiu, Zhijun (2); visa färre...

Lärosäte: Uppsala universitet (54); Göteborgs universitet (11); Högskolan i Gävle (8); Umeå universitet (5); Kungliga Tekniska Högskolan (4); Jönköping University (3); visa fler...; Chalmers tekniska högskola (3); Högskolan Kristianstad (2); Högskolan i Skövde (2); Karolinska Institutet (2); Sveriges Lantbruksuniversitet (2); Örebro universitet (1); Linköpings universitet (1); Lunds universitet (1); Mittuniversitetet (1); Linnéuniversitetet (1); visa färre...

Språk: Engelska (78); Svenska (4)

Forskningsämne (UKÄ/SCB): Teknik (24); Naturvetenskap (12); Medicin och hälsovetenskap (6); Lantbruksvetenskap (2); Samhällsvetenskap (1)

År

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
LIBRIS.kb.se

pil uppåt

Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy