SwePub
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "WFRF:(Ranki M) srt2:(2005-2009)"

Sökning: WFRF:(Ranki M) > (2005-2009)

  • Resultat 1-2 av 2
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  •  
2.
  • Tuomisto, F, et al. (författare)
  • Dissociation of V-Ga-O-N complexes in HVPE GaN by high pressure and high temperature annealing
  • 2006
  • Ingår i: Physica status solidi. B, Basic research. - : Wiley. - 0370-1972 .- 1521-3951. ; 243:7, s. 1436-1440
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • We have used positron annihilation spectroscopy to study the high-pressure annealing induced thermal recovery of vacancy defects in free-standing GaN grown by hydride vapor phase epitaxy (HYPE). The results show that the in-grown Ga vacancy complexes recover after annealing at 1500-1700 K. Comparison of the experimental positron data with ab-initio calculations indicates that the Doppler broadening measurement of the electron momentum distribution is sensitive enough to distinguish between the N and O atoms surrounding the Ga vacancy. We show that the difference between the isolated V-Ga in electron irradiated GaN and the V-Ga-O-N complexes in highly O-doped GaN is clear, and the Ga vacancy related defect complexes that start dissociating at 1500 K can be identified as V-Ga-O-N pairs.
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-2 av 2

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy