↓ Direkt till sidans innehåll
↓ Direkt till sidans sekundära innehåll (sidomenyn)

Träfflista för sökning "WFRF:(Ritala M.) srt2:(2000-2004)"

Sökning: WFRF:(Ritala M.) > (2000-2004)

Resultat 1-8 av 8

Sortera/gruppera träfflistan

Sortering: Träffar per sida:

Numrering	Referens	Omslagsbild	Hitta
1.	Kukli, K., et al. (författare) Atomic layer deposition of titanium oxide from TiI4 and H2O2 2000 Ingår i: Chem. Vap. Deposition. ; 6, s. 303- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
2.	Kukli, K, et al. (författare) Real time monitoring in atomic layer deposition of TiO2 from TiI4 and H2O-H2O2 2000 Ingår i: Langmuir. ; 16, s. 8122- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
3.	Schuisky, M, et al. (författare) Atomic layer chemical vapour deposition in the Bi-Ti-O system 2000 Ingår i: Chem. Vap. Deposition. ; 6, s. 139- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
4.	Jonsson, A.K., et al. (författare) Dielectric Permittivity and Intercalation Parameters of Li Ion Intercalated Atomic Layer Deposited ZrO2 2004 Ingår i: J. Electrochem. Soc.. ; 151, s. F54-F58 Tidskriftsartikel (refereegranskat)
5.	Kukli, K, et al. (författare) Atomic layer deposition of zirconium oxide from zirconium tetraiodide, water and hydrogen peroxide 2001 Ingår i: J. Crystal Growth. ; 231, s. 262- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
6.	Kukli, K, et al. (författare) Dielectric properties of zirconium oxide grown by atomic layer deposition from iodide precursors 2001 Ingår i: J. Electrochem. Soc.. ; 148, s. F227- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
7.	Kukli, K., et al. (författare) Influence of thickness and growth temperature on the properties of zirconium oxide films grown by atomic layer deposition on silicon 2002 Ingår i: Thin Solid Films. ; :410, s. 53-60 Tidskriftsartikel (refereegranskat)
8.	Strömme, Maria, et al. (författare) (Ta1-xNbx)(2)O-5 films produced by atomic layer deposition : Temperature dependent dielectric spectroscopy and room-temperature I-V characteristics 2001 Ingår i: Journal of Applied Physics. - : AIP Publishing. - 0021-8979 .- 1089-7550. ; 90:9, s. 4532-4542 Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract Temperature dependent ac dielectric spectroscopy and room-temperature I–V characterization were performed on atomic layer deposited(Ta1−xNbx)2O5films. The high frequency permittivity, as well as the dc conductivity of the films, were found to increase with increasing Nb content. The conduction mechanism in the mixed Ta–Nb oxide films was of the Poole–Frenkel type, while the high field conduction in pure Ta2O5 was space-charge limited. The activation energy for dc conduction was higher in mixed Ta–Nb oxides compared to pure Ta2O5 and Nb2O5films. Irreversible changes in the conduction mechanism took place upon heat treatment above a certain irreversibility temperature. This temperature was higher for the mixed oxides than for the binary ones.

Skapa referenser, mejla, bekava och länka

Länka till träfflistan

Resultat 1-8 av 8

Avgränsa träffmängd

Typ av publikation: tidskriftsartikel (8)

Typ av innehåll: refereegranskat (8)

Författare/redaktör: Kukli, K. (8); Ritala, M. (8); Leskelä, M. (7); Hårsta, Anders (5); Aarik, J. (4); Schuisky, M. (3); visa fler...; Sajavaara, T. (2); Forsgren, K (2); Aidla, A. (1); Uustare, T. (1); Hårsta, A. (1); Niklasson, Gunnar A. (1); Strömme, Maria (1); Niklasson, G.A. (1); Jonsson, A. K. (1); Forsgren, Katarina (1); Aidla, Aleks (1); Keinonen, J. (1); Uustarem, T (1); Niskanen, A (1); Uustare, Teet (1); Leskela, M (1); visa färre...

Lärosäte: Uppsala universitet (8)

Språk: Engelska (8)

Forskningsämne (UKÄ/SCB): Naturvetenskap (6); Teknik (1)

År

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
LIBRIS.kb.se

pil uppåt

Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy