Träfflista för sökning "WFRF:(Savage G) srt2:(1998-1999)"

Sortera/gruppera träfflistan

Sortering: Träffar per sida:

Numrering	Referens	Omslagsbild	Hitta
1.	Paskova, T., et al. (författare) 6H-SiC crystallinity behaviour upon B implantation studied by Raman scattering 1998 Ingår i: Silicon carbide, III-nitrides and related materials : ICSCIII-N'97. - : Trans Tech Publications Inc.. - 0878497900 ; , s. 741-744 Konferensbidrag (refereegranskat)abstract In this study, B ion implantation was performed in n-type 6H-SiC single crystals at 500 degrees C. The implanted specimens were annealed at 1700 degrees C in SiH4 atmosphere. Lattice damage induced by implantation and its recovery was characterised by Raman scattering. Reduced damage compared with other ions implantation was observed. Recrystallization of the implanted material and absence of amorphous phases was detected after high temperature annealing.
2.	Valcheva, E, et al. (författare) B implantation in 6H-SiC : Lattice damage recovery and implant activation upon high-temperature annealing 1999 Ingår i: Journal of Vacuum Science & Technology B. - : American Vacuum Society. - 1071-1023 .- 1520-8567. ; 17:3, s. 1040-1044 Tidskriftsartikel (refereegranskat)

Skapa referenser, mejla, bekava och länka

Författare/redaktör: Yakimova, R. (2); Valcheva, E (2); Savage, S (2); Paskova, T. (2); Harris, C.I. (2); IVanov, I.G. (2); visa fler...; Wahab, Q. (1); Nordell, N. (1); Nordell, Nils (1); visa färre...

År

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy