Sökning: WFRF:(Schreiber Nathaniel J.) >
Adsorption-controll...
Adsorption-controlled growth and properties of epitaxial SnO films
-
- Mei, Antonio B. (författare)
- Cornell Univ, NY 14853 USA; Univ Illinois, IL 61801 USA; Univ Illinois, IL 61801 USA
-
- Miao, Ludi (författare)
- Cornell Univ, NY 14853 USA
-
- Wahila, Matthew J. (författare)
- Binghamton Univ, NY 13902 USA
-
visa fler...
-
- Khalsa, Guru (författare)
- Cornell Univ, NY 14853 USA
-
- Wang, Zhe (författare)
- Cornell Univ, NY 14853 USA
-
- Barone, Matthew (författare)
- Cornell Univ, NY 14853 USA
-
- Schreiber, Nathaniel J. (författare)
- Cornell Univ, NY 14853 USA
-
- Noskin, Lindsey E. (författare)
- Cornell Univ, NY 14853 USA
-
- Paik, Hanjong (författare)
- Cornell Univ, NY 14853 USA
-
- Tiwald, Thomas E. (författare)
- JA Woollam Co, NE 68508 USA
-
- Zheng, Qiye (författare)
- Univ Illinois, IL 61801 USA; Lawrence Berkeley Natl Lab, CA 94720 USA; Univ Calif Berkeley, CA 94720 USA
-
- Haasch, Richard T. (författare)
- Univ Illinois, IL 61801 USA
-
- Sangiovanni, Davide (författare)
- Linköpings universitet,Teoretisk Fysik,Tekniska fakulteten,Ruhr Univ Bochum, Germany
-
- Piper, Louis F. J. (författare)
- Binghamton Univ, NY 13902 USA
-
- Schlom, Darrell G. (författare)
- Cornell Univ, NY 14853 USA; Kavli Inst Cornell Nanoscale Sci, NY 14853 USA
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AMER PHYSICAL SOC, 2019
- 2019
- Engelska.
-
Ingår i: Physical Review Materials. - : AMER PHYSICAL SOC. - 2475-9953. ; 3:10
- Relaterad länk:
-
https://liu.diva-por... (primary) (Raw object)
-
visa fler...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- When it comes to providing the unusual combination of optical transparency, p-type conductivity, and relatively high mobility, Sn2+-based oxides are promising candidates. Epitaxial films of the simplest Sn2+ oxide, SnO, are grown in an adsorption-controlled regime at 380 degrees C on Al2O3 substrates by molecular-beam epitaxy, where the excess volatile SnOx desorbs from the film surface. A commensurately strained monolayer and an accompanying van der Waals gap is observed near the substrate interface, promoting layers with high structural perfection notwithstanding a large epitaxial lattice mismatch (-12%). The unintentionally doped films exhibit p-type conductivity with carrier concentration 2.5 x 10(16) cm(-3) and mobility 2.4 cm(2) V(-1)s(-1) at room temperature. Additional physical properties are measured and linked to the Sn2+ valence state and corresponding lone-pair charge-density distribution.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Kemi -- Materialkemi (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Chemical Sciences -- Materials Chemistry (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Mei, Antonio B.
-
Miao, Ludi
-
Wahila, Matthew ...
-
Khalsa, Guru
-
Wang, Zhe
-
Barone, Matthew
-
visa fler...
-
Schreiber, Natha ...
-
Noskin, Lindsey ...
-
Paik, Hanjong
-
Tiwald, Thomas E ...
-
Zheng, Qiye
-
Haasch, Richard ...
-
Sangiovanni, Dav ...
-
Piper, Louis F. ...
-
Schlom, Darrell ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Kemi
-
och Materialkemi
- Artiklar i publikationen
-
Physical Review ...
- Av lärosätet
-
Linköpings universitet