SwePub
Tyck till om SwePub Sök här!
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "WFRF:(Sjoblom S) srt2:(2005-2009)"

Sökning: WFRF:(Sjoblom S) > (2005-2009)

  • Resultat 1-2 av 2
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  • Abermann, S., et al. (författare)
  • Comparative study on the impact of TiN and Mo metal gates on MOCVD-grown HfO2 and ZrO2 high-kappa dielectrics for CMOS technology
  • 2007
  • Ingår i: Physics of Semiconductors, Pts A and B. - : AIP. - 9780735403970 ; , s. 293-294
  • Konferensbidrag (refereegranskat)abstract
    • We compare metal oxide semiconductor capacitors, investigating Titanium-Nitride and Molybdenum as gate materials, as well as metal organic chemical vapor deposited ZrO2 and HfO2 as high-kappa dielectrics, respectively. The impact of different annealing steps on the electrical characteristics of the various gate stacks is a further issue. The positive effect of post metallization annealing in forming gas atmosphere as well as observed mid-gap pinning of TiN and Mo metal gates is presented.
  •  
2.
  • Abermann, S., et al. (författare)
  • Processing and evaluation of metal gate/high-kappa/Si capacitors incorporating Al, Ni, TiN, and Mo as metal gate, and ZrO2 and HfO2 as high-kappa dielectric
  • 2007
  • Ingår i: Microelectronic Engineering. - : Elsevier BV. - 0167-9317 .- 1873-5568. ; 84:5-8, s. 1635-1638
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • We evaluate various metal gate/high-K/Si capacitors by their resulting electrical characteristics. Therefore, we process MOS gate stacks incorporating aluminium (Al), nickel (Ni), titanium-nitride (TiN), and molybdenum (Mo) as the gate material, and metal organic chemical vapour deposited (MOCVD) ZrO2 and HfO2 as the gate dielectric, respectively. The influence of the processing sequence - especially of the thermal annealing treatment - on the electrical characteristics of the various gate stacks is being investigated. Whereas post metallization annealing in forming gas atmosphere improves capacitance-voltage behaviour (due to reduced interface-, and oxide charge density), current-voltage characteristics degrade due to a higher leakage current after thermal treatment at higher temperatures. The Flatband-voltage values for the TiN-, Mo-, and Ni-capacitors indicate mid-gap pinning of the metal gates, however, Ni seems to be thermally unstable on ZrO2, at least within the process scheme we applied.
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-2 av 2
Typ av publikation
konferensbidrag (1)
tidskriftsartikel (1)
Typ av innehåll
refereegranskat (2)
Författare/redaktör
Abermann, S. (2)
Sjoblom, G. (2)
Lemme, Max C., 1970- (2)
Olsson, J. (2)
Bertagnolli, E. (2)
Efavi, J. (1)
visa fler...
Efavi, J. K. (1)
visa färre...
Lärosäte
Kungliga Tekniska Högskolan (2)
Språk
Engelska (2)
Forskningsämne (UKÄ/SCB)
Teknik (2)
År
2007 (2)

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy