Sökning: WFRF:(Souliere V.)
> (2014) >
Applications of vap...
Applications of vapor-liquid-solid selective epitaxy of highly p-type doped 4H-SiC: PiN diodes with peripheral protection and improvement of specific contact resistance of ohmic contacts
-
- Thierry-Jebali, N. (författare)
- Université de Lyon, INSA de Lyon, Laboratoire AMPÈRE, CNRS, Villeurbanne, France
-
- Lazar, M. (författare)
- Université de Lyon, INSA de Lyon, Laboratoire AMPÈRE, CNRS, Villeurbanne, France
-
- Vo-Ha, A. (författare)
- Université de Lyon, Université Claude Bernard Lyon1, LMI, CNRS, Villeurbanne, France
-
visa fler...
-
- Carole, D. (författare)
- Université de Lyon, Université Claude Bernard Lyon1, LMI, CNRS, Villeurbanne, France
-
- Souliere, V. (författare)
- Soulière, V., Université de Lyon, Université Claude Bernard Lyon1, LMI, CNRS, UMR 5615, 43 Bd du 11 Novembre 1918, F-69622 Villeurbanne, France
-
- Henry, Anne (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
- Planson, D. (författare)
- Université de Lyon, INSA de Lyon, Laboratoire AMPÈRE, CNRS, Villeurbanne, France
-
- Ferro, G. (författare)
- Université de Lyon, Université Claude Bernard Lyon1, LMI, CNRS, Villeurbanne, France
-
- Konczewicz, L. (författare)
- Université de Montpellier, Université Montpellier 2, L2C, CNRS, Montpellier, France
-
- Contreras, S. (författare)
- Université de Montpellier, Université Montpellier 2, L2C, CNRS, Montpellier, France
-
- Brylinski, C. (författare)
- Université de Lyon, Université Claude Bernard Lyon1, LMI, CNRS, Villeurbanne, France
-
- Brosselard, P. (författare)
- Université de Lyon, INSA de Lyon, Laboratoire AMPÈRE, CNRS, Villeurbanne, France
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Trans Tech Publications, 2014
- 2014
- Engelska.
-
Ingår i: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2. - : Trans Tech Publications. - 9783038350101 ; , s. 639-644
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.4...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- This work deals with two applications of the Selective Epitaxial Growth of highly p-type doped buried 4H-SiC in Vapor-Liquid-Solid configuration (SEG-VLS). The first application is the improvement of the Specific Contact Resistance (SCR) of contacts made on such p-type material. As a result of the extremely high doping level, SCR values as low as 1.3x10-6 Ω.cm2 have been demonstrated. Additionally, the high Al concentration of the SEG-VLS 4H-SiC material induces a lowering of the Al acceptor ionization energy down to 40 meV. The second application is the fabrication of PiN diodes with SEG-VLS emitter and guard-rings peripheral protection. Influence of some process parameters and crystal orientation on the forward and reverse characteristics of the PiN diodes is discussed. © (2014) Trans Tech Publications, Switzerland.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences (hsv//eng)
Nyckelord
- Ohmic contact; P-type 4H-SiC; PiN diode; Selective epitaxial growth; Vapor-liquid-solid
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Thierry-Jebali, ...
-
Lazar, M.
-
Vo-Ha, A.
-
Carole, D.
-
Souliere, V.
-
Henry, Anne
-
visa fler...
-
Planson, D.
-
Ferro, G.
-
Konczewicz, L.
-
Contreras, S.
-
Brylinski, C.
-
Brosselard, P.
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
- Artiklar i publikationen
-
SILICON CARBIDE ...
- Av lärosätet
-
Linköpings universitet