SwePub
Tyck till om SwePub Sök här!
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "WFRF:(Yue Qing) srt2:(2009)"

Sökning: WFRF:(Yue Qing) > (2009)

  • Resultat 1-2 av 2
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  • Huang, Yue, et al. (författare)
  • Memory Effect of Metal-Oxide-Silicon Capacitors with Self-Assembly Double-Layer Au Nanocrystals Embedded in Atomic-Layer-Deposited HfO2 Dielectric
  • 2009
  • Ingår i: Chinese Physics Letters. - 0256-307X .- 1741-3540. ; 26:10
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • We report the chemical self-assembly growth of Au nanocrystals on atomic-layer-deposited HfO2 films aminosilanized by (3-Aminopropyl)-trimethoxysilane aforehand for memory applications. The resulting Au nanocrystals show a density of about 4 x 10(11) cm(-2) and a diameter range of 5-8 nm. The metal-oxide-silicon capacitor with double-layer Au nanocrystals embedded in HfO2 dielectric exhibits a large C - V hysteresis window of 11.9 V for +/- 11 V gate voltage sweeps at 1 MHz, a flat-band voltage shift of 1.5 V after the electrical stress under 7 V for 1 ms, a leakage current density of 2.9 x 10(-8) A/cm(-2) at 9 V and room temperature. Compared to single-layer Au nanocrystals, the double-layer Au nanocrystals increase the hysteresis window significantly, and the underlying mechanism is thus discussed.
  •  
2.
  • Liao, Zhong-Wei, et al. (författare)
  • Robust Low Voltage Program-Erasable Cobalt-Nanocrystal Memory Capacitors with Multistacked Al2O3/HfO2/Al2O3 Tunnel Barrier
  • 2009
  • Ingår i: Chinese Physics Letters. - 0256-307X .- 1741-3540. ; 26:8, s. 087303-
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • An atomic-layer-deposited Al2O3/HfO2/Al2O3 (A/H/A) tunnel barrier is investigated for Co nanocrystal memory capacitors. Compared to a single Al2O3 tunnel barrier, the A/H/A barrier can significantly increase the hysteresis window, i. e., an increase by 9V for +/- 12V sweep range. This is attributed to a marked decrease in the energy barriers of charge injections for the A/H/A tunnel barrier. Further, the Co-nanocrystal memory capacitor with the A/H/A tunnel barrier exhibits a memory window as large as 4.1V for 100 mu s program/erase at a low voltage of +/- 7V, which is due to fast charge injection rates, i. e., about 2.4 x 10(16) cm(-2) s(-1) for electrons and 1.9 x 10(16) cm(-2) s(-1) for holes.
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-2 av 2
Typ av publikation
tidskriftsartikel (2)
Typ av innehåll
refereegranskat (2)
Författare/redaktör
Zhang, Shi-Li (2)
Zhang, Wei (2)
Ding, Shi-Jin (2)
Sun, Qing-Qing (2)
Huang, Yue (2)
Gou, Hong-Yan (2)
visa fler...
Liao, Zhong-Wei (1)
visa färre...
Lärosäte
Kungliga Tekniska Högskolan (2)
Språk
Engelska (2)
Forskningsämne (UKÄ/SCB)
Teknik (1)
År
2009 (2)Ta bort avgränsningen

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy