Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:kth-155608" >
Critical technology...
Critical technology issues for deca-nanometer MOSFETs
-
- Östling, Mikael (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
- Malm, B. Gunnar (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
- Von Haartman, Martin (författare)
- KTH,Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT
-
visa fler...
-
- Hållstedt, Julius (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
- Hellström, Per-Erik (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
- Zhang, Shili (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2007
- 2007
- Engelska.
-
Ingår i: ICSICT-2006. - 1424401615 - 9781424401611 ; , s. 27-30
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- An overview of critical integration issues for future generation MOSFETs towards 10 nm gate length is presented. Novel materials and innovative structures are discussed. The need for high-K gate dielectrics and a metal gate electrode is discussed. Different techniques for strain-enhanced mobility are discussed.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- Electrodes
- Electron mobility
- Gate dielectrics
- Integration
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas