Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-128859" >
Epitaxial growth on...
Epitaxial growth on on-axis substrates
-
- Henry, Anne (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
- Leone, Stefano (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Liu, Xianjie (författare)
- Linköpings universitet,Ytors Fysik och Kemi,Tekniska högskolan
-
visa fler...
-
- Ul-Hassan, Jawad (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Kordina, Olle (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Bergman, J. Peder, 1961- (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten
-
- Janzén, Erik (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Kerala, India : Research Signpost, 2012
- 2012
- Engelska.
-
Ingår i: Silicon Carbide Epitaxy. - Kerala, India : Research Signpost. - 9788130805009 ; , s. 97-119
- Relaterad länk:
-
https://liu.diva-por... (primary) (Raw object)
-
visa fler...
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- SiC epitaxial growth using the Chemical Vapour Deposition (CVD) technique on nominally on-axis substrate is presented. Both standard and chloride-based chemistry have been used with the aim to obtain high quality layers suitable for device fabrication. Both homoepitaxy (4H on 4H) and heteroepitaxy (3C on hexag onal substrate) are addressed.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kap (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas