Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-43526"
> (2009) >
Chloride-based SiC ...
Chloride-based SiC epitaxial growth
-
- Pedersen, Henrik, 1981- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Leone, Stefano, 1978- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Henry, Anne, 1959- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
visa fler...
-
- Beyer, Franziska, 1980- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Lundskog, Anders, 1981- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
- Janzén, Erik, 1954- (författare)
- Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Trans Tech Publications, 2009
- 2009
- Engelska.
-
Ingår i: Materials Science Forum Vols. 615-617. - : Trans Tech Publications. ; , s. 89-
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.4...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Some aspects of the chloride-based CVD growth process have been investigated by using both the approach to add HCl to the standard precursors or/and by using the single molecule precursor methyltrichlorosilane (MTS). The efficiency of the process for different precursors, the growth rate stability and the effect that the Cl/Si-ratio has on the growth have been studied. MTS is showed to be the most efficient precursor; the growth can be hindered by to much chlorine in the gas mixture. The Cl/Si-ratio is also found to be a process parameter that affects the amount of incorporated nitrogen in the epilayers.
Nyckelord
- NATURAL SCIENCES
- NATURVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)