Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:uu-110994" >
Role of Si implanta...
Role of Si implantation in control of underlap length in Schottky-barrier source/drain MOSFETs on ultrathin body SOI
-
- Qiu, Zhijun (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
- Zhang, Zuhua (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
- Olsson, Jörgen, 1966- (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
-
visa fler...
-
- Lu, J. (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
-
- Hellström, Per Erik (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
Liu, R. (författare)
-
- Östling, Mikael (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
- Zhang, ShiLin (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- NEW YORK : IEEE, 2008
- 2008
- Engelska.
-
Ingår i: Proceedings of ULIS. - NEW YORK : IEEE. ; , s. 175-178, s. 175-178
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- This works demonstrates a novel approach using Si implantation prior to Pt deposition and PtSi formation to control the underlap length between the PtSi source/drain regions to the gate in Schottky-Barrier (SB-) MOSFETs. Dopant segregation at the PtSi/Si interface is used to enhance device performance. With the lon /Ioff current ratio as an indicator, optimized Si implant doses are found for both n- and p-channel SB-MOSFETs. Through an effective barrier width, the underlap length has direct implication on the leakage current.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- MOSFET
- Schottky barriers
- ion implantation
- silicon-on-insulator
- PtSi-Si
- Schottky barrier source/drain MOSFET
- dopant segregation
- leakage current
- metal-oxide-semiconductor field effect transistor
- silicon implantation
- silicon on insulator
- ultrathin body SOI
- underlap length
- PtSi
- Si implantation
- dopant segregation
- schottky barrier-MOSFET
- underlap length
- Physics
- Fysik
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)