Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:uu-149464" >
Electronic structur...
Electronic structure of a thermoelectric material : CsBi4Te6
-
- Luo, Wei (författare)
- KTH,Uppsala universitet,Institutionen för fysik och astronomi,Tillämpad materialfysik
-
- de Almeida, J. Souza (författare)
- Uppsala universitet,Institutionen för fysik och astronomi
-
- Osorio-Guillen, J. M. (författare)
- Uppsala universitet,Institutionen för fysik och astronomi
-
visa fler...
-
- Ahuja, Rajeev (författare)
- KTH,Uppsala universitet,Institutionen för fysik och astronomi,Tillämpad materialfysik
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Elsevier BV, 2008
- 2008
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of Physics and Chemistry of Solids. - : Elsevier BV. - 0022-3697 .- 1879-2553. ; 69:9, s. 2274-2276
- Relaterad länk:
-
https://hal.archives...
-
visa fler...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We have calculated the electronic structure of CsBi4Te6 by means of first-principles self-consistent total-energy calculations within the local-density approximation using the full-potential linear-muffin-tin-orbital method. From our calculated electronic structure we have calculated the frequency dependent dielectric function. Our calculations shows that CsBi4Te6 a semiconductor with a band gap of 0.3 eV. The calculated dielectric function is very anisotropic. Our calculated density of state support the recent experiment of Chung et al. [Science 287 (2000) 10241 that CsBi4Te6 is a high performance thermoelectric material for low temperature applications. (C) 2008 Elsevier Ltd. All rights reserved.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences (hsv//eng)
Nyckelord
- Semiconductors
- Electronic structure
- Optical properties
- Physics
- Fysik
- TECHNOLOGY
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas