The formation and characterisation of lanthanum oxide based Si/High-k/NiSi gate stacks by electron beam evaporation: An examination of in-situ amorphous silicon capping and NiSi formation

Hurley, P.K. (författare)

Pijolat, M. (författare)

Cherkaoui, K. (författare)

O'Connor, E. (författare)

O'Donnel, D. (författare)

Negara, M.A. (författare)

Lemme, M.C. (författare)

Gottlob, H.D.B. (författare)

Schmidt, M (författare)

Stegmaier, K. (författare)

Schwalke, U. (författare)

Hall, S. (författare)

Buiu, O (författare)

Engström, Olof, 1943 (författare): Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology

Newcomb, S.B. (författare)

(creator_code:org_t)

Ämnesord

Stäng

Av författaren/redakt...: Hurley, P.K.; Pijolat, M.; Cherkaoui, K.; O'Connor, E.; O'Donnel, D.; Negara, M.A.; visa fler...; Lemme, M.C.; Gottlob, H.D.B.; Schmidt, M; Stegmaier, K.; Schwalke, U.; Hall, S.; Buiu, O; Engström, Olof, ...; Newcomb, S.B.; visa färre...

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.