Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-14539" >
NiSi integration in...
NiSi integration in a non-selective base SiGeCHBT process
-
- Haralson, Erik (författare)
- KTH,Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT
-
- Suvar, E. (författare)
- KTH,Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT
-
- Malm, B. Gunnar (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
visa fler...
-
- Radamson, Henry (författare)
- KTH,Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT
-
- Wang, Yong-Bin (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
- Östling, Mikael (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Elsevier BV, 2005
- 2005
- Engelska.
-
Ingår i: Materials Science in Semiconductor Processing. - : Elsevier BV. - 1369-8001 .- 1873-4081. ; 8:03-jan, s. 245-248
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- A self-aligned nickel silicide (salicide) process is integrated into a non-selective base SiGeC HBT process. The device features a unique, fully silicided base region that grows laterally under the emitter pedestal. This Ni(SiGe) formed in this base region was found to have a resistivity of 23-24 muOmega cm. A difference in the silicide thickness between the boron-doped SiGeC extrinsic base region and the in situ phosphorous-doped emitter region is observed and further analyzed and confirmed with a blanket wafer silicide study. The silicided device exhibited a current gain of 64 and HF device performance of 39 and 32 GHz for f(t) and f(MAX), respectively.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Materialteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Materials Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- SiGeCHBT
- nickel silicide
- silicides
- si1-xgex
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas