Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-22120" >
Na0.5K0.5NbO3 thin ...
Na0.5K0.5NbO3 thin films for MFIS_FET type non-volatile memory applications
-
Cho, C. R. (författare)
-
Park, S. H. (författare)
-
Moon, B. M. (författare)
-
visa fler...
-
Sundqvist, J. (författare)
-
Harsta, A. (författare)
-
- Grishin, Alexander M. (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2002
- 2002
- Engelska.
-
Ingår i: Integrated Ferroelectrics. - 1058-4587 .- 1607-8489. ; 49, s. 21-30
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Na0.5K0.5NbO3(NKN) thin films have been prepared on Pt80Ir20, SiO2/Si, and Ta2O5/Si substrates for ferroelectric non-volatile memory applications. Ferroelectric hysteresis loops for Au/NKN/Pt80Ir20 vertical capacitor yielded remnant polarization of 12 muC/cm(2) and coercive field similar to20 kV/cm. Significant flat-band voltage V-FB shifts with buffer layer thickness in Au/NKN/SiO2/Si structures have been attributed to the intermixing between Na and K alkali ions and SiO2 layer. On the other hand, Au/NKN/Ta2O5/Si structure exhibited wide memory window without significant V-FB deviations, low leakage currents, and rather long retention time at zero bias.
Nyckelord
- Na0.5K0.5NbO3 (NKN) thin film
- Au/NKN/Ta2O5/Si
- MFIS_diode
- ferroelectric non-volatile memory
- pulsed-laser deposition
- varactor
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas