SwePub
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "L773:0003 0007 srt2:(2000-2004)"

Sökning: L773:0003 0007 > (2000-2004)

  • Resultat 1-4 av 4
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  •  
2.
  •  
3.
  •  
4.
  • Koo, S. M., et al. (författare)
  • Ferroelectric Pb(Zr,Ti)O-3/Al2O3/4H-SiC diode structures
  • 2002
  • Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 81:5, s. 895-897
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • Pb(Zr,Ti)O-3 (PZT) films (450 nm thick) were grown on 4H-silicon carbide (SiC) substrates by a pulsed-laser deposition technique. X-ray diffraction confirms single PZT phase without a preferred orientation. Stable capacitance-voltage (C-V) loops with low conductance (<0.1 mS/cm(2), tan deltasimilar to0.0007 at 400 kHz) and memory window as wide as 10 V were obtained when 5-nm-thick Al2O3 was used as a high band gap (E(g)similar to9 eV) barrier buffer layer between PZT (E(g)similar to3.5 eV) and SiC (E(g)similar to3.2 eV). High-frequency (400 kHz) C-V characteristics revealed clear accumulation, and depletion behavior. Although the charge injection from SiC is the dominant mechanism for C-V hysteresis in PZT/Al2O3/SiC, negligible sweep rate dependence and negligible applied bias dependence were observed compared to that of PZT/SiC. By using room-temperature photoilluminated C-V measurements, the interface states as well as the charge trapping in the PZT/Al2O3 stacks have been calculated.
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-4 av 4

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy