Sökning: WFRF:(Bouhafs Chamseddine)
> (2020) >
Origin of layer dec...
Origin of layer decoupling in ordered multilayer graphene grown by high-temperature sublimation on C-face 4H-SiC
-
- Persson, Ingemar (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten
-
- Armakavicius, Nerijus (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten
-
- Bouhafs, Chamseddine (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,Inst Italiano Tecnol, Italy
-
visa fler...
-
- Stanishev, Vallery (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten
-
- Kuhne, Philipp (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten
-
- Hofmann, Tino (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,Univ Nebraska, NE 68588 USA; Univ Nebraska, NE 68588 USA
-
- Schubert, Mathias (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,Univ Nebraska, NE 68588 USA; Univ Nebraska, NE 68588 USA
-
- Rosén, Johanna (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten
-
- Yakimova, Rositsa (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten
-
- Persson, Per O A (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten
-
- Darakchieva, Vanya (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AMER INST PHYSICS, 2020
- 2020
- Engelska.
-
Ingår i: APL Materials. - : AMER INST PHYSICS. - 2166-532X. ; 8:1
- Relaterad länk:
-
https://liu.diva-por... (primary) (Raw object)
-
visa fler...
-
https://aip.scitatio...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We study the origin of layer decoupling in ordered multilayer graphene grown by high temperature sublimation on C-face 4H-SiC. The mid-infrared optical Hall effect technique is used to determine the magnetic field dependence of the inter-Landau level transition energies and their optical polarization selection rules, which unambiguously show that the multilayer graphene consists of electronically decoupled layers. Transmission electron microscopy reveals no out-of-plane rotational disorder between layers in the stack, which is in contrast to what is typically observed for C-face graphene grown by low temperature sublimation. It is found that the multilayer graphene maintains AB-stacking order with increased interlayer spacing by 2.4%-8.4% as compared to highly oriented pyrolytic graphite. Electron energy loss spectroscopy mapping reveals Si atoms trapped in between layers, which are proposed to be the cause for the observed increased interlayer spacing leading to layer decoupling. Based on our results, we propose a defect-driven growth evolution mechanism for multilayer graphene on C-face SiC via high temperature sublimation.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Persson, Ingemar
-
Armakavicius, Ne ...
-
Bouhafs, Chamsed ...
-
Stanishev, Valle ...
-
Kuhne, Philipp
-
Hofmann, Tino
-
visa fler...
-
Schubert, Mathia ...
-
Rosén, Johanna
-
Yakimova, Rosits ...
-
Persson, Per O A
-
Darakchieva, Van ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
-
APL Materials
- Av lärosätet
-
Linköpings universitet