↓ Direkt till sidans innehåll
↓ Direkt till sidans sekundära innehåll (sidomenyn)

Träfflista för sökning "WFRF:(Gottlob H. D. B.) srt2:(2010)"

Sökning: WFRF:(Gottlob H. D. B.) > (2010)

Resultat 1-4 av 4

Sortera/gruppera träfflistan

Sortering: Träffar per sida:

Numrering	Referens	Omslagsbild	Hitta
1.	Raeissi, Bahman, 1979, et al. (författare) Interface state properties of high-k/SiOx/Si interfaces portrayed by multiparameter admittance spectroscopy 2010 Ingår i: Proceedings of the 16th Workshop on Dielectrics in Microelectronics, p. 103, Bratislava, June 28 - 30 2010. Konferensbidrag (refereegranskat)
2.	Engström, Olof, 1943, et al. (författare) Capture cross sections for holes at LaLuO/Si interfaces 2010 Ingår i: Proceedings of the 16th Workshop on Dielectrics in Microelectronics, p. 29, Bratislava, June 28 - 30 2010. Konferensbidrag (refereegranskat)
3.	Engström, Olof, 1943, et al. (författare) Charging Phenomena at the Interface Between High-k Dielectrics and SiOx Interlayers (Invited) 2010 Ingår i: Journal of Telecommunications and Information Technology. - 1509-4553 .- 1899-8852. ; 1, s. 10- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
4.	Gomeniuk, Y. Y, et al. (författare) Electrical properties of LaLuO3/Si(100) structures prepared by molecular beam deposition 2010 Ingår i: ECS Transactions. - : The Electrochemical Society. - 1938-5862 .- 1938-6737. - 9781566778220 ; 33:3, s. 221-227 Konferensbidrag (refereegranskat)abstract The paper presents the results of electrical characterization in the wide temperature range (120-320 K) of the interface and bulk properties of high-k LaLuO3 dielectric deposited by molecular beam deposition (MBD) on silicon substrate. The energy distribution of interface state density is presented and typical maxima of 1.2×1011 and 2.5×10 11 eV-1 cm-2 were found at about 0.25-0.3 eV from the silicon valence band. The charge carrier transport through the dielectric at the forward bias was found to occur via Poole-Frenkel mechanism, while variable range hopping conduction (Mott's law) controls the current at the reverse bias.

Skapa referenser, mejla, bekava och länka

Länka till träfflistan

Resultat 1-4 av 4

Avgränsa träffmängd

Typ av publikation: konferensbidrag (3); tidskriftsartikel (1)

Typ av innehåll: refereegranskat (4)

Författare/redaktör: Engström, Olof, 1943 (4); Raeissi, Bahman, 197 ... (4); Gottlob, H. D. B. (4); Schmidt, M. (2); Schubert, J (2); Cherkaoui, K. (2); visa fler...; Lopes, J. M. J. (2); Hall, S. (1); Hurley, P. K. (1); Ducroquet, F. (1); Piscator, Johan, 197 ... (1); Mitrovic, I. Z. (1); Gutt, T (1); Przewlocki, H.M. (1); Monaghan, S (1); Gomeniuk, Y. Y. (1); Nazarov, A. N. (1); Gomieniuk, Y. V. (1); visa färre...

Lärosäte: Chalmers tekniska högskola (4)

Språk: Engelska (4)

Forskningsämne (UKÄ/SCB): Teknik (4)

År: 2010 (4)Ta bort avgränsningen

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
LIBRIS.kb.se

pil uppåt

Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy