WFRF:(Jarrendahl K)
Sökning: WFRF:(Jarrendahl K) > (1995) > GROWTH OF EPITAXIAL...
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
GROWTH OF EPITAXIAL ALN(0001) ON SI(111) BY REACTIVE MAGNETRON SPUTTER-DEPOSITION
-
- IVANOV, I (författare)
- Uppsala universitet
-
- HULTMAN, L (författare)
- Uppsala universitet
-
- JARRENDAHL, K (författare)
- Uppsala universitet
- visa fler...
- visa färre...
- (creator_code:org_t)
- AMER INST PHYSICS, 1995
- 1995
- Engelska.
- Ingår i: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - : AMER INST PHYSICS. - 0021-8979. ; 78:9, s. 5721-5726
- Tidskriftsartikel (övrigt vetenskapligt/konstnärligt)
Abstract
Ämnesord
Stäng
- 2H-AlN(0001) layers have been grown on Si(lll) by reactive magnetron sputtering from an Al target in Ar+N-2 gas mixtures at temperatures T-s=400-900 degrees C. Variations in reactive gas consumption, target voltage, and current-voltage characteristics ver
Nyckelord
- NITRIDE THIN-FILMS; ALUMINUM NITRIDE; AIN
Publikations- och innehållstyp
- vet (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
- JOURNAL OF APPLIED PHYSICS (Sök värdpublikationen i LIBRIS)
Till lärosätets databas
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- IVANOV, I
- HULTMAN, L
- JARRENDAHL, K
- MARTENSSON, P
- SUNDGREN, JE
- HJORVARSSON, B
- visa fler...
- GREENE, JE
- visa färre...
- Artiklar i publikationen
- JOURNAL OF APPLI ...
- Av lärosätet
- Uppsala universitet
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
