| 1. |
- Almazidou, Maria, et al.
(författare)
-
Maria-mottagningarna i Stockholm, Göteborg och Malmö - Ungdomar i öppenvård år 2013
- 2014
-
Rapport (övrigt vetenskapligt/konstnärligt)abstract
- Trestad2 är en nationell satsning där de tre städerna Stockholm, Göteborg och Malmö samarbetar för att minska användandet av cannabis bland ungdomar. Inom ramen för projektet har det skapats en modell för att identifiera och följa trender i de tre storstäderna vad gäller droganvändning och psykosocial situation för ungdomar som påbörjar behandling för missbruksproblem. Framtagandet av relevanta indikatorer har skett i nära samarbete mellan praktiker och forskare utifrån en sammanvägning av forskningsmässiga, metodologiska och kliniskt betydelsefulla utgångspunkter. Underlaget utgörs av uppgifter om 788 ungdomar som inledde öppenvårdsbehandling vid någon av städernas Maria-mottagningar under år 2013 och har inhämtats med intervjumetoden UngDOK.Sammanställningen av indikatorer visar att flickor utgör cirka en fjärdedel av det totala antalet ungdomar som påbörjar öppenvård för problem med alkohol eller narkotika. Ungdomarnas medianålder när vårdkontakten inleds är 17 år och mer än hälften av ungdomarna har kommit i kontakt med Maria-mottagningarna via eget eller nätverkets initiativ. Nästan två tredjedelar av ungdomarna uppger att de har eller har haft omfattande problem under sin skolgång och cirka en tiondel av ungdomarna varken studerar, arbetar eller praktiserar. Drygt tre fjärdedelar av ungdomarna anger cannabis som sin primära drog, men nästan hälften av dem har även en riskfylld alkoholkonsumtion. Den genomsnittliga debutåldern för den primära drogen är 15 år. Ungefär en fjärdedel av ungdomarna har tidigare fått vård och behandling för alkohol- eller narkotikaproblem. Förekomsten av besvärliga uppväxtvillkor är hög hos ungdomarna och över hälften av dem har erfarenheter av att ha växt upp med våld, psykiska problem och/eller missbruk i familjen. Drygt en tredjedel av samtliga ungdomar har eller har haft kontakt med den psykiatriska vården.Vissa skillnader mellan de tre städernas Maria-mottagningar kan identifieras. Ungdomarna som påbörjar kontakt med mottagningen i Stockholm verkar ha problem av något lindrigare art jämfört med Göteborg och Malmö och utgör mindre andelar både när det gäller komplicerande bakgrundsfaktorer och nuvarande problembeteenden. Det finns även mindre skillnader i åldersstrukturen i de tre städerna, där Stockholm har fler ungdomar under 18 år medan både Göteborg och Malmö har fler som är över 18 år. Det finns även vissa könsskillnader genom att flickorna i samtliga tre städer tycks ha en tyngre problematik i jämförelse med pojkarna. Flickorna saknar i högre grad sysselsättning, anger oftare problem i skolan, har haft svårare uppväxtvillkor och har i större utsträckning haft kontakt med psykiatrin i jämförelse med pojkarna.Att sammanställa och rapportera deskriptiva indikatorer om individer som påbörjar behandling för alkohol- och narkotikaproblem kan ha flera fördelar. En sådan är att informationen kan ligga till grund för en ökad förståelse av ungdomars alkohol- och narkotikaanvändning och dess omfattning. Även om rapportens uppgifter inte är heltäckande, beskriver den en större population av svenska ungdomar med en problematisk användning av alkohol och droger. Föreliggande rapport är således en första ansats till att ge en sammanfattande bild av de ungdomar som påbörjar behandling vid Maria-mottagningarnas öppenvård i Stockholm, Göteborg och Malmö.
|
|
| 2. |
- Borg, Mattias
(författare)
-
Antimonide Heterostructure Nanowires - Growth, Physics and Devices
- 2012
-
Doktorsavhandling (övrigt vetenskapligt/konstnärligt)abstract
- Abstract in UndeterminedThis thesis investigates the growth and application of antimonide heterostructure nanowires for low-power electronics. In the first part of the thesis, GaSb, InSb and InAsSb nanowire growth is presented, and the distinguishing features of the growth are described. It is found that the presence of Sb results in more than 50 at. % group-III concentration in the Au seed particle on top of the nanowires. It is further concluded that the effective V/III ratio inside the seed particle is reduced compared to the outside. This enables the suppression of radial growth with remaining high axial growth rate. Furthermore, the low effective V/III ratio may affect the crystal structure formation, which is pure Zinc-blende in all investigated Sb-based nanowires. The strong segregating properties of Sb results in a strong Sb memory effect, and a difficulty to nucleate Sb-based nanowires directly on substrates.The second part of the thesis deals with the growth and application of GaSb/InAs(Sb) nanowires for tunnel device applications. The GaSb/InAs(Sb) nanowire heterojunction has a defect-free crystal structure with an extremely abrupt heterojunction due to an inherent delay before the initiation of InAs(Sb) growth. The Sb carry-over from the GaSb growth step into the InAs growth leads to a high Sb background in the InAs(Sb) segment. The diameter of the heterojunction can be reduced below 30 nm by an in-situ annealing treatment, in which material is selectively etched from the region near the heterojunction.The performance of GaSb/InAs(Sb) tunnel diodes is modeled and measured on fabricated single nanowire devices. The diodes exhibit peak current levels of 67 kA/cm^{2} , peak-to-valley current ratio between 2 and 3 at room temperature and a tunnel current at V_{D} = -0.5 V of 1.7 MA/cm^{2} . The expected performance of GaSb/InAs(Sb) tunnel field-effect transistors is discussed and preliminary measurement data on top-gated devices with 300 nm gate length is also presented.
|
|
| 3. |
|
|
| 4. |
|
|
| 5. |
|
|
| 6. |
- Persson, Karl-magnus, et al.
(författare)
-
Investigation of Reverse Filament Formation in ITO/HfO2-based RRAM
- 2019
-
Ingår i: 2019 Device Research Conference (DRC). - 9781728121123 - 9781728121116 ; , s. 91-92
-
Konferensbidrag (övrigt vetenskapligt/konstnärligt)abstract
- To overcome the large discrepancy in speed between computational devices and that of contemporary large capacity non-volatile memory (NVM) technologies, resistive random access memory (RRAM) technologies are seen as promising candidates, offering speed/energy improvements in several orders of magnitude while being 3D integration compatible [1]. Indium-Tin-Oxide (ITO) has several unique properties for RRAM operation, perhaps most prominently the self-compliance and an ultra-low switching voltage (±200 mV) [2]. We report on considerations for ITO electrical bottom electrode (BE) RRAM where we vary the ALD oxide deposition parameters in order to improve the reverse filament formation (RFF) occurring at large reset voltages. RFF is when the conducting filament is reformed. One of the key parameters of RRAM is the endurance, how many times it can switch before failure. The RFF is one of the limitations in the number of switches until a device reaches failure and it is thus of high importance to ensure a sufficient margin between the highest applied reset voltage and the RFF voltage not to compromise the endurance. We optimized the oxide to improve the RFF properties.
|
|
