SwePub
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "WFRF:(Iida S) ;mspu:(conferencepaper)"

Sökning: WFRF:(Iida S) > Konferensbidrag

  • Resultat 1-5 av 5
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  •  
2.
  •  
3.
  •  
4.
  •  
5.
  • Paskov, Plamen, 1959-, et al. (författare)
  • Nonpolar GaN layers grown by sidewall epitaxial lateral overgrowth : optical evidences for a reduced stacking fault density
  • 2008
  • Ingår i: Proc. of the 7th International Conference on Nitride Semiconductors,2007. - Linköping : Department of Physics, Chemistry and Biology, Linköping University. ; , s. 1768-1770
  • Konferensbidrag (refereegranskat)abstract
    • Nonpolar a -plane and m -plane GaN layers grown by MOCVD employing sidewall epitaxial lateral overgrowth (SELO) are studied by photoluminescence (PL) and spatially resolved micro-PL. The effects of the groove orientations and the groove/terrace width ratio on the emission spectra, particularly on the stacking fault (SF) related emission bands in the 3.29–3.42 eV spectral region, are examined. The PL spectra of both types of nonpolar layers reveal a significant reduction of the defect related emissions when the grooves are oriented perpendicular to the c-axis of GaN and the groove/terrace width ratio is smaller than one. The suppression of SF formation in the areas where a lateral overgrowth along the [0001] GaN direction occurs is confirmed by micro-PL measurements showing no SF related emissions over the terrace regions. (© 2008 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-5 av 5

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy