Sökning: WFRF:(Lai Zonghe 1948)
> (2010-2014)
> Linköpings universitet >
Growth and characte...
Growth and characterization of epitaxial ultra-thin NbN films on 3C-SiC/Si substrate for terahertz applications
-
- Dochev, Dimitar Milkov, 1981 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology,Chalmers University
-
- Desmaris, Vincent, 1977 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology,Chalmers University
-
- Pavolotskiy, Alexey, 1968 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology,Chalmers University
-
visa fler...
-
- Meledin, Denis, 1974 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology,Chalmers University
-
- Lai, Zonghe, 1948 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology,Chalmers University
-
- Henry, Anne (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Janzén, Erik (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Pippel, E. (författare)
- Max Planck Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. (MPG),Max Planck Society for the Advancement of Science (MPG),Max-Planck-Institute of Microstructure Physics
-
- Woltersdorf, J (författare)
- Max Planck Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. (MPG),Max Planck Society for the Advancement of Science (MPG),Max-Planck-Institute of Microstructure Physics
-
- Belitsky, Victor, 1955 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology,Chalmers University
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2011-01-20
- 2011
- Engelska.
-
Ingår i: Superconductor Science and Technology. - : IOP Publishing. - 0953-2048 .- 1361-6668. ; 24:3, s. 035016 (6pp)-
- Relaterad länk:
-
http://publications.... (primary) (free)
-
visa fler...
-
http://publications....
-
https://research.cha...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We report on electrical properties and microstructure of epitaxial thin NbN films grown on 3C-SiC/Si substrates by means of reactive magnetron sputtering. A complete epitaxial growth at the NbN/3C-SiC interface has been confirmed by means of high resolution transmission electron microscopy (HRTEM) along with x-ray diffractometry (XRD). Resistivitymeasurements of the films have shown that the superconducting transition onset temperature (TC) for the best specimen is 11.8 K. Using these epitaxial NbN films, we have fabricated submicron-size hot-electron bolometer (HEB) devices on 3C-SiC/Si substrate and performed their complete DC characterization. The observed critical temperature TC = 11.3 K and critical current density of about 2.5 MA cm−2 at 4.2 K of the submicron-size bridges were uniform across the sample. This suggests that the deposited NbN films possess the necessary homogeneity to sustain reliable hot-electron bolometer device fabrication for THz mixer applications.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- NbN
- thin films
- THz
- hot electron bomometer
- superconductor
- epitaxial growth
- NATURAL SCIENCES
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Dochev, Dimitar ...
-
Desmaris, Vincen ...
-
Pavolotskiy, Ale ...
-
Meledin, Denis, ...
-
Lai, Zonghe, 194 ...
-
Henry, Anne
-
visa fler...
-
Janzén, Erik
-
Pippel, E.
-
Woltersdorf, J
-
Belitsky, Victor ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
-
Superconductor S ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola
-
Linköpings universitet