↓ Direkt till sidans innehåll
↓ Direkt till sidans sekundära innehåll (sidomenyn)

Träfflista för sökning "WFRF:(Wang Shu Min 1963) ;pers:(Larsson Anders 1957)"

Sökning: WFRF:(Wang Shu Min 1963) > Larsson Anders 1957

Resultat 1-10 av 85

Sortera/gruppera träfflistan

Sortering: Träffar per sida:

Numrering	Referens	Omslagsbild	Hitta
1.	Wang, Shumin, 1963, et al. (författare) High quality GaNAs qunatum wells with room temperature light emission up to 1.44 µm 2005 Ingår i: Applied Physics Letters. ; 87 Tidskriftsartikel (refereegranskat)
2.	Fu, Ying, et al. (författare) Energy band structure and spectral gain characteristics of dilute-nitride zinc blende InGaNAs quantum wells embedded in GaAs and GaNAs barriers 2006 Ingår i: Journal of Applied Physics. - : AIP Publishing. - 0021-8979 .- 1089-7550. ; 100:7 Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract The spectral gain characteristics of dilute-nitride zinc blende InxGa1-xNyAs1-y quantum wells embedded in GaNy1As1-y1 barriers have been investigated experimentally and theoretically. Two samples, both with the gain peak at 1300 nm, were studied for comparison. One has a high nitrogen concentration in the quantum well with the surrounding barriers being pure GaAs. The other has a lower and uniform nitrogen concentration in the quantum well and the barriers (GaNAs barriers). Measurements show the redshift of the gain peak induced by the incorporation of nitrogen and difference in the spectral gain characteristics. The energy band structures and spectral gain characteristics are analyzed theoretically using the standard eight-band k center dot p theory. It is shown that the introduction of nitrogen atoms in the GaAs barriers reduces the barrier height for the central quantum well so that the energy sublevels in the conduction band becomes condensed. The condensation of the conduction-band energy sublevels reduces the peak gain and makes the gain spectrum narrower, in agreement with measurements.
3.	Wang, Shu Min, 1963, et al. (författare) 1.3-1.55 um light emission from InGaAs/GaAs quantum wells on GaAs using dipole delta-doping 2004 Ingår i: IPRM04, Kagoshima, Japan, May 31 - June 4, 2004. Konferensbidrag (refereegranskat)
4.	Wang, Shu Min, 1963, et al. (författare) GaAs based 1.3 µm quantum well lasers grown by molecular beam epitaxy 2007 Ingår i: MBE China 2007, Nanchang, China, October 2007 (invited). Konferensbidrag (refereegranskat)
5.	Wang, Shu Min, 1963, et al. (författare) High-quality 1.3 um GalnNAs single quantum well lasers grown by MBE 2004 Ingår i: Electronics Letter. ; 40, s. 1338- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
6.	Wang, Shu Min, 1963, et al. (författare) Metamorphic InGaAs quantum wells for light emission at 1.3-1.6 μm 2007 Ingår i: Thin Solid Films. - : Elsevier BV. - 0040-6090 .- 1879-2731. ; 515:10, s. 4348-4351 Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract Metamorphic InGaAs quantum well structures grown on GaAs reveal strong light emission at 1.3-1.6 μm, smooth surface with an average roughness below 2 nm and good rectifying I-V characteristics. Dark line defects are found in the QW. Post growth thermal annealing further improves the luminescence efficiency but does not remove those dark line defects. Some challenges of epitaxial growth using this method for laser applications are discussed. © 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.
7.	Wang, Shu Min, 1963, et al. (författare) State-of-the-art GaInNAs quantum wells and 1.3 µm lasers grown by molecular beam epitaxy 2007 Ingår i: the 14th European Molecular Beam Epitaxy Workshop, Sierra Nevada, Spain, 2007 (keynote invited talk). Konferensbidrag (refereegranskat)
8.	Wang, Shu Min, 1963, et al. (författare) Very low threshold current density of 1.3 µm GaInNAs Single Quantum Well Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy 2005 Ingår i: Journal of Crystal Growth. ; 278, s. 734- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
9.	Wang, Shu Min, 1963, et al. (författare) Very low threshold current density of 1.3 um GaInNAs single quantum well lasers grown by molecular beam epitaxy 2004 Ingår i: 13th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Edinburgh, UK, August 22-27, 2004. Konferensbidrag (refereegranskat)
10.	Wang, Xiao Dong, 1972, et al. (författare) Wavelenght extension of highly-strained InGaAs/GaAs quantum well laser diodes by dipole delta-doping 2004 Ingår i: IPRM04, Kagoshime, Japan, May 31 - June 4, 2004. Konferensbidrag (refereegranskat)

Skapa referenser, mejla, bekava och länka

Länka till träfflistan

Resultat 1-10 av 85

Avgränsa träffmängd

Typ av publikation: tidskriftsartikel (46); konferensbidrag (39)

Typ av innehåll: refereegranskat (77); övrigt vetenskapligt/konstnärligt (8)

Författare/redaktör: Wang, Shu Min, 1963 (85); Larsson, Anders,... (85)Ta bort avgränsningen; Sadeghi, Mahdad, 196 ... (73); Wei, Yongqiang, 1975 (32); Adolfsson, Göran, 19 ... (19); Zhao, Qing Xiang, 19 ... (19); visa fler...; Gustavsson, Johan, 1 ... (18); Larkins, Eric (16); Melanen, P. (14); Zhao Ternehäll, Huan ... (14); Lim, Jun (12); Uusimaa, Peteri (11); Sujecki, S. (11); Mackenzie, R (10); Lai, Zonghe, 1948 (9); Sipilä, Pekko (9); Bull, S (8); Song, Yuxin, 1981 (7); Lu, W (6); Chao, S. (6); Foxon, Tom (6); Bengtsson, Jörgen, 1 ... (5); Lim, J.J. (5); Smowton, Peter (5); Willander, Magnus (4); Haglund, Åsa, 1976 (4); Wu, D. H. (4); Andrianov, A.V. (4); Campion, R.P. (4); Ferdos, Fariba, 1966 (4); George, A.A. (4); Modh, Peter, 1968 (4); Vilokkinen, Ville (3); Gu, Qinfen (3); Dumitrescu, Mihail (3); Wolf, M. (2); Andersson, Thorvald, ... (2); Berland, Kristian, 1 ... (2); Farivar, Rashid, 198 ... (2); Hyldgaard, Per, 1964 (2); Stattin, Martin, 198 ... (2); Westbergh, Petter, 1 ... (2); Zhao, Qingxiang, 196 ... (2); Wang, Xiaodong (2); Grant, V. (2); Fu, Ying, 1964- (2); Zhao, Qingxiang (2); Schultz, K (2); Pessa, Markus (2); Dumitrescu, M. (2); visa färre...

Lärosäte: Chalmers tekniska högskola (85); Linköpings universitet (7); Göteborgs universitet (5); Kungliga Tekniska Högskolan (1)

Språk: Engelska (85)

Forskningsämne (UKÄ/SCB): Teknik (76); Naturvetenskap (18)

År

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
LIBRIS.kb.se

pil uppåt

Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy