| 1. |
- Almazidou, Maria, et al.
(författare)
-
Maria-mottagningarna i Stockholm, Göteborg och Malmö - Ungdomar i öppenvård år 2013
- 2014
-
Rapport (övrigt vetenskapligt/konstnärligt)abstract
- Trestad2 är en nationell satsning där de tre städerna Stockholm, Göteborg och Malmö samarbetar för att minska användandet av cannabis bland ungdomar. Inom ramen för projektet har det skapats en modell för att identifiera och följa trender i de tre storstäderna vad gäller droganvändning och psykosocial situation för ungdomar som påbörjar behandling för missbruksproblem. Framtagandet av relevanta indikatorer har skett i nära samarbete mellan praktiker och forskare utifrån en sammanvägning av forskningsmässiga, metodologiska och kliniskt betydelsefulla utgångspunkter. Underlaget utgörs av uppgifter om 788 ungdomar som inledde öppenvårdsbehandling vid någon av städernas Maria-mottagningar under år 2013 och har inhämtats med intervjumetoden UngDOK.Sammanställningen av indikatorer visar att flickor utgör cirka en fjärdedel av det totala antalet ungdomar som påbörjar öppenvård för problem med alkohol eller narkotika. Ungdomarnas medianålder när vårdkontakten inleds är 17 år och mer än hälften av ungdomarna har kommit i kontakt med Maria-mottagningarna via eget eller nätverkets initiativ. Nästan två tredjedelar av ungdomarna uppger att de har eller har haft omfattande problem under sin skolgång och cirka en tiondel av ungdomarna varken studerar, arbetar eller praktiserar. Drygt tre fjärdedelar av ungdomarna anger cannabis som sin primära drog, men nästan hälften av dem har även en riskfylld alkoholkonsumtion. Den genomsnittliga debutåldern för den primära drogen är 15 år. Ungefär en fjärdedel av ungdomarna har tidigare fått vård och behandling för alkohol- eller narkotikaproblem. Förekomsten av besvärliga uppväxtvillkor är hög hos ungdomarna och över hälften av dem har erfarenheter av att ha växt upp med våld, psykiska problem och/eller missbruk i familjen. Drygt en tredjedel av samtliga ungdomar har eller har haft kontakt med den psykiatriska vården.Vissa skillnader mellan de tre städernas Maria-mottagningar kan identifieras. Ungdomarna som påbörjar kontakt med mottagningen i Stockholm verkar ha problem av något lindrigare art jämfört med Göteborg och Malmö och utgör mindre andelar både när det gäller komplicerande bakgrundsfaktorer och nuvarande problembeteenden. Det finns även mindre skillnader i åldersstrukturen i de tre städerna, där Stockholm har fler ungdomar under 18 år medan både Göteborg och Malmö har fler som är över 18 år. Det finns även vissa könsskillnader genom att flickorna i samtliga tre städer tycks ha en tyngre problematik i jämförelse med pojkarna. Flickorna saknar i högre grad sysselsättning, anger oftare problem i skolan, har haft svårare uppväxtvillkor och har i större utsträckning haft kontakt med psykiatrin i jämförelse med pojkarna.Att sammanställa och rapportera deskriptiva indikatorer om individer som påbörjar behandling för alkohol- och narkotikaproblem kan ha flera fördelar. En sådan är att informationen kan ligga till grund för en ökad förståelse av ungdomars alkohol- och narkotikaanvändning och dess omfattning. Även om rapportens uppgifter inte är heltäckande, beskriver den en större population av svenska ungdomar med en problematisk användning av alkohol och droger. Föreliggande rapport är således en första ansats till att ge en sammanfattande bild av de ungdomar som påbörjar behandling vid Maria-mottagningarnas öppenvård i Stockholm, Göteborg och Malmö.
|
|
| 2. |
- Astromskas, Gvidas, et al.
(författare)
-
Thin InAs membranes and GaSb buffer layers on GaAs(001) substrates
- 2012
-
Ingår i: Journal of Vacuum Science and Technology B. - : American Vacuum Society. - 1520-8567. ; 30:5
-
Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
- Thin InAs layers and membranes are fabricated on GaAs substrates using GaSb buffer layers grown by MOVPE. The quality of the GaSb buffer layers is optimized and epitaxial InAs layers are grown on GaSb layers of various thickness. The best GaSb buffer layers are obtained for a nucleation temperature of 450 degrees C and a subsequent growth temperature of 570 degrees C with a V/III ratio of 3, as confirmed by both the structural (high-resolution XRD, AFM) and electrical (Hall) measurements. Furthermore, a clear relationship between the structural quality of the GaSb and InAs layers is established. Finally, free-standing InAs structures are fabricated where Hall measurements reveal a mobility that depends on the film thickness.
|
|
| 3. |
- Borg, Mattias
(författare)
-
Antimonide Heterostructure Nanowires - Growth, Physics and Devices
- 2012
-
Doktorsavhandling (övrigt vetenskapligt/konstnärligt)abstract
- Abstract in UndeterminedThis thesis investigates the growth and application of antimonide heterostructure nanowires for low-power electronics. In the first part of the thesis, GaSb, InSb and InAsSb nanowire growth is presented, and the distinguishing features of the growth are described. It is found that the presence of Sb results in more than 50 at. % group-III concentration in the Au seed particle on top of the nanowires. It is further concluded that the effective V/III ratio inside the seed particle is reduced compared to the outside. This enables the suppression of radial growth with remaining high axial growth rate. Furthermore, the low effective V/III ratio may affect the crystal structure formation, which is pure Zinc-blende in all investigated Sb-based nanowires. The strong segregating properties of Sb results in a strong Sb memory effect, and a difficulty to nucleate Sb-based nanowires directly on substrates.The second part of the thesis deals with the growth and application of GaSb/InAs(Sb) nanowires for tunnel device applications. The GaSb/InAs(Sb) nanowire heterojunction has a defect-free crystal structure with an extremely abrupt heterojunction due to an inherent delay before the initiation of InAs(Sb) growth. The Sb carry-over from the GaSb growth step into the InAs growth leads to a high Sb background in the InAs(Sb) segment. The diameter of the heterojunction can be reduced below 30 nm by an in-situ annealing treatment, in which material is selectively etched from the region near the heterojunction.The performance of GaSb/InAs(Sb) tunnel diodes is modeled and measured on fabricated single nanowire devices. The diodes exhibit peak current levels of 67 kA/cm^{2} , peak-to-valley current ratio between 2 and 3 at room temperature and a tunnel current at V_{D} = -0.5 V of 1.7 MA/cm^{2} . The expected performance of GaSb/InAs(Sb) tunnel field-effect transistors is discussed and preliminary measurement data on top-gated devices with 300 nm gate length is also presented.
|
|
| 4. |
|
|
| 5. |
|
|
| 6. |
|
|
| 7. |
- Borg, Mattias, et al.
(författare)
-
Enhanced Sb incorporation in InAsSb nanowires grown by metalorganic vapor phase epitaxy
- 2011
-
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 98:11
-
Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
- We demonstrate metalorganic vapor phase epitaxy of InAs1-xSbx nanowires (x=0.08-0.77) for applications in high-speed electronics and long-wavelength optical devices. The composition of the InAsSb nanowires and InAsSb epilayers on the same sample is independently determined using lab-setup high resolution x-ray diffraction, by making use of the size-dependent in-plane broadening of the nanowire Bragg peak. We find that the incorporation of Sb into the nanowires is significantly higher than for planar epitaxy under the same growth conditions. Thermodynamic calculations indicate that this is due to a dramatically decreased effective V/III ratio at the particle/nanowire interface. (C) 2011 American Institute of Physics. (C) [doi: 10.1063/1.3566980]
|
|
| 8. |
- Borg, Mattias, et al.
(författare)
-
Geometric model for metalorganic vapour phase epitaxy of dense nanowire arrays
- 2013
-
Ingår i: Journal of Crystal Growth. - : Elsevier BV. - 0022-0248. ; 366, s. 15-19
-
Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
- We propose a geometric model to estimate the contribution of substrate surface diffusion to growth of dense nanowire arrays using metalorganic vapour phase epitaxy. It is shown that the nanowire mantle area becomes the most significant collector of growth material when the nanowire diameter is large and the inter-nanowire pitch is small. It is concluded that this growth regime is important for the array geometries typically used for optoelectronic and photovoltaic applications of nanowires. The growth rate under these conditions is also not constant with time, due to the growing nanowire mantle area. This result was confirmed by experiments in which dense arrays of InAs nanowires were grown and the nanowire growth rate was measured as a function of time. (C) 2013 Elsevier B.V. All rights reserved.
|
|
| 9. |
|
|
| 10. |
- Borg, Mattias, et al.
(författare)
-
InAs/GaSb Heterostructure Nanowires for Tunnel Field-Effect Transistors.
- 2010
-
Ingår i: Nano Letters. - : American Chemical Society (ACS). - 1530-6992 .- 1530-6984. ; 10:Online August 24, 2010, s. 4080-4085
-
Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
- InAs/GaSb nanowire heterostructures with thin GaInAs inserts were grown by MOVPE and characterized by electrical measurements and transmission electron microscopy. Down-scaling of the insert thickness was limited because of an observed sensitivity of GaSb nanowire growth to the presence of In. By employing growth interrupts in between the InAs and GaInAs growth steps it was possible to reach an insert thickness down to 25 nm. Two-terminal devices show a diode behavior, where temperature-dependent measurements indicate a heterostructure barrier height of 0.5 eV, which is identified as the valence band offset between the InAs and GaSb. Three-terminal transistor structures with a top-gate positioned at the heterointerface show clear indications of band-to-band tunnelling.
|
|
