↓ Direkt till sidans innehåll
↓ Direkt till sidans sekundära innehåll (sidomenyn)

Tyck till om SwePub Sök här!

Träfflista för sökning "WFRF:(Olsson Erik J.) srt2:(2000-2004)"

Sökning: WFRF:(Olsson Erik J.) > (2000-2004)

Resultat 1-10 av 21

Sortera/gruppera träfflistan

Sortering: Träffar per sida:

Numrering	Referens	Omslagsbild	Hitta
1.	Olsson, Erik J, et al. (författare) Meinen und Entscheiden 2004 Ingår i: Logik in der Philosophie. - 3935025661 ; , s. 161-178 Bokkapitel (övrigt vetenskapligt/konstnärligt)
2.	Olsson, Erik J, et al. (författare) Lassen wir den Skeptiker nicht zu Wort kommen 2004 Ingår i: Pragmatisch denken. - 3937202463 Bokkapitel (övrigt vetenskapligt/konstnärligt)abstract Abstract is not available.
3.	Olsson, Erik J, et al. (författare) The Epistemology of Keith Lehrer 2003 Ingår i: The Epistemology of Keith Lehrer. Bokkapitel (övrigt vetenskapligt/konstnärligt)abstract Abstract is not available.
4.	Carlson, Erik, et al. (författare) Existence, Beneficence, and Design 2001 Ingår i: E. Carlson and R. Sliwinski (eds.), Omnium Gatherum, Uppsala, 2001.). ; , s. 79-92 Tidskriftsartikel (refereegranskat)
5.	Carlson, Erik, et al. (författare) The Presumption of Nothingness 2001 Ingår i: Ratio. ; 14:3, s. 203-221 Tidskriftsartikel (refereegranskat)
6.	Wu, D., et al. (författare) A novel strained Si0.7Ge0.3 surface-channel pMOSFET with an ALD TiN/Al2O3/HfAlOx/Al2O3 gate stack 2003 Ingår i: IEEE Electron Device Letters. - : Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE). - 0741-3106 .- 1558-0563. ; 24:3, s. 171-173 Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract Proof-of-concept pMOSFETs with a strained-Si0.7Ge0.3 surface-channel deposited by selective epitaxy and a TiN/Al2O3/HfAIO(x)/Al2O3 gate stack grown by atomic layer chemical vapor deposition (ALD) techniques were fabricated. The Si0.7Ge0.3 pMOSFETs exhibited more than 30% higher current drive and peak transconductance than reference Si pMOSFETs with the same gate stack. The effective mobility for the Si reference coincided with the universal hole mobility curve for Si. The presence of a relatively low density of interface states, determined as 3.3x10(11) cm(-2) eV(-1), yielded a subthreshold slope of 75 mV/dec. for the Si reference. For the Si0.7Ge0.3 pMOSFETs, these values were 1.6x10(12) cm(-2) eV(-1) and 110 mV/dec., respectively.
7.	Aichelin, J., et al. (författare) Inverse Kinematics Studies of Intermediate Energy Reactions Relevant for Single Event Effects in Microelectronics and Medical Applications 2003 Ingår i: Proc. Neutron Mesurements for Applications Enlargement Workshop (NEMEA), Budapest, Hungary, 2003.. Konferensbidrag (övrigt vetenskapligt/konstnärligt)
8.	Armbruster, Henriet, et al. (författare) On-board Conversion of Alcohol to Ethers for diesel Engines 2000 Ingår i: ISAF XIII Paper. International Symposium on Alcohol Fuels. Implementing the Transition to a Sustainable Transport System, Stockholm 3-6 July 2000.. Konferensbidrag (refereegranskat)
9.	Eckert, Jörn, et al. (författare) Einleitung 2004 Ingår i: Juristische Fakultäten und Juristenausbildung im Ostseeraum: zweiter Rechtshistorikertag im Ostseeraum = Law faculties and legal education in the Baltic sea area: second Conference in Legal History in the Baltic Sea Area. - Uppsala : Kungl. Gustav Adolfs akademien för svensk folkkultur. - 9185190756 ; , s. 13-15, s. 9-12, s. 1-13, s. -357 Bokkapitel (övrigt vetenskapligt/konstnärligt)
10.	Hartig, T., et al. (författare) Guest editors' introduction 2003 Ingår i: Journal of Environmental Psychology. ; 73:2, s. 165-166 Tidskriftsartikel (refereegranskat)

Skapa referenser, mejla, bekava och länka

Länka till träfflistan

Resultat 1-10 av 21

Avgränsa träffmängd

Typ av publikation: tidskriftsartikel (8); konferensbidrag (4); bokkapitel (4); recension (3); samlingsverk (redaktörskap) (2)

Typ av innehåll: refereegranskat (11); övrigt vetenskapligt/konstnärligt (10)

Författare/redaktör: Olsson, Erik J (16); Olsson, Erik (2); Schroeder-Heister, P ... (2); Carlson, Erik (2); Spohn, Wolfgang (2); Modéer, Kjell Å (1); visa fler...; Li, J. (1); Nomokonov, P. (1); Årzén, Karl-Erik (1); Hellström, Per-Erik (1); Östling, Mikael (1); Persson, S (1); Zhang, Shi-Li (1); Sjoblom, G. (1); Olsson, J. (1); Watanabe, Y. (1); Jakobsson, Bo (1); Karlsson, Magnus, 19 ... (1); Blomgren, Jan (1); Aichelin, J (1); Budzanowski, A (1); Chubarov, M (1); Lozhkin, O (1); Pljuschev, V (1); Skwirczynska, I (1); Ekström, Curt (1); Kolozhvari, Anatoly (1); Murin, Yuri (1); Olsson, Nils (1); Tang, H. H. K. (1); Tegner, Per-Erik (1); Westerber, (1); Andrekson, Peter, 19 ... (1); Gjirja, Savo, 1945 (1); Åkesson, Johan (1); Andersson, Thorsten (1); Armbruster, Henriet (1); Gunstren, J van (1); Olsson, Bengt-Erik, ... (1); Hartig, T (1); Wu, D. (1); Lindgren, A. C. (1); Vainonen-Ahlgren, E. (1); Staats, H. (1); Hau, Stephan, 1960- (1); Leuzinger-Bohleber, ... (1); Deserno, Heinrich (1); Eckert, Jörn (1); Olsson, E. J. (1); Seger, J (1); visa färre...

Lärosäte: Lunds universitet (15); Uppsala universitet (5); Chalmers tekniska högskola (2); Kungliga Tekniska Högskolan (1); Linköpings universitet (1); RISE (1)

Språk: Engelska (19); Tyska (2)

Forskningsämne (UKÄ/SCB): Humaniora (16); Teknik (3); Naturvetenskap (1); Samhällsvetenskap (1)

År

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
LIBRIS.kb.se

pil uppåt

Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy