↓ Direkt till sidans innehåll
↓ Direkt till sidans sekundära innehåll (sidomenyn)

Tyck till om SwePub Sök här!

Träfflista för sökning "WFRF:(Zhang Y. H.) srt2:(1995-1999);srt2:(1999)"

Sökning: WFRF:(Zhang Y. H.) > (1995-1999) > (1999)

Resultat 1-3 av 3

Sortera/gruppera träfflistan

Sortering: Träffar per sida:

Numrering	Referens	Omslagsbild	Hitta
1.	Dunham, I, et al. (författare) The DNA sequence of human chromosome 22 1999 Ingår i: Nature. - : Springer Science and Business Media LLC. - 0028-0836 .- 1476-4687. ; 402:6761, s. 489-495 Tidskriftsartikel (refereegranskat)
2.	Iso, H, et al. (författare) Collaborative overview ('meta-analysis') of prospective observational studies of the associations of usual blood pressure and usual cholesterol levels with common causes of death: protocol for the second cycle of the Prospective Studies Collaboration 1999 Ingår i: Journal of cardiovascular risk. - : Oxford University Press (OUP). - 1350-6277 .- 1741-8267 .- 1741-8275. ; 6:5, s. 315-320 Tidskriftsartikel (refereegranskat)
3.	Hong, J., et al. (författare) Plasma chemistries for high density plasma etching of SiC 1999 Ingår i: Journal of Electronic Materials. - Charlottesville, VA, USA. - 0361-5235 .- 1543-186X. ; 28:3, s. 196-201 Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract A variety of different plasma chemistries, including SF6, Cl2, ICI, and IBr, have been examined for dry etching of 6H-SiC in high ion density plasma tools (inductively coupled plasma and electron cyclotron resonance). Rates up to 4500 angstromsÂ·min-1 were obtained for SF6 plasmas, while much lower rates (â‰€800 angstromsÂ·min-1) were achieved with Cl2, ICI, and IBr. The F2-based chemistries have poor selectivity for SiC over photoresist masks (typically 0.4-0.5), but Ni masks are more robust, and allow etch depths â‰¥10 ÎŒm in the SiC. A micromachining process (sequential etch/deposition steps) designed for Si produces relatively low etch rates (<2,000 angstromsÂ·min-1) for SiC.

Skapa referenser, mejla, bekava och länka

Länka till träfflistan

Resultat 1-3 av 3

Avgränsa träffmängd

Typ av publikation: tidskriftsartikel (3)

Typ av innehåll: refereegranskat (3)

Författare/redaktör: Beck, S (1); Chen, Y. (1); Li, S. (1); Williams, S. (1); Zhang, L. (1); Sasaki, T. (1); visa fler...; Zhang, G (1); Wang, Y. (1); Nguyen, T. (1); Hall, C (1); Du, Z. (1); Nelson, J. (1); Williams, L. (1); Wang, Z. (1); Zhang, W. (1); Cho, H. (1); Morris, J. (1); Hong, J (1); Lewis, J (1); Miller, N (1); Iso, H (1); Lewington, S (1); Shibuya, K (1); Chen, Z. (1); Shimizu, N. (1); Collins, R (1); Scheet, P (1); Sato, H. (1); Wang, Q. (1); Davies, C (1); Peto, R (1); CARSTENSEN, J (1); Östling, Mikael (1); Fang, X. (1); Yao, Z. (1); Neaton, J (1); Dunham, I (1); Chen, F (1); Cooper, J. (1); Whincup, P. (1); Hall, R (1); Ren, Q (1); Matthews, L (1); King, A (1); Tuomilehto, J. (1); Knekt, P (1); Johnson, D. (1); Clarke, R (1); Pearson, D. (1); Fang, F (1); visa färre...

Lärosäte: Karolinska Institutet (2); Kungliga Tekniska Högskolan (1)

Språk: Engelska (3)

Forskningsämne (UKÄ/SCB): Teknik (1)

År: 1999 (3)Ta bort avgränsningen

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
LIBRIS.kb.se

pil uppåt

Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy