Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:kth-161279" >
Epitaxial growth of...
Epitaxial growth of beta-SiC on ion-beam synthesized beta-SiC : Structural characterization
-
Romano-Rodriguez, A. (författare)
-
Perez-Rodriguez, A. (författare)
-
Serre, C. (författare)
-
visa fler...
-
Morante, J. R. (författare)
-
Esteve, J. (författare)
-
Acero, M. C. (författare)
-
Kögler, R. (författare)
-
Skorupa, W. (författare)
-
- Östling, Mikael (författare)
- KTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
-
- Nordell, Nils (författare)
- Microelectronics Center, Sweden
-
Karlsson, S. (författare)
-
Van Landuyt, J. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Trans Tech Publications Inc. 2000
- 2000
- Engelska.
-
Ingår i: Silicon Carbide and Related Materials - 1999 Pts, 1 & 2. - : Trans Tech Publications Inc.. ; , s. 309-312
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.4...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- In this work we present for the first time, to our knowledge, the CVD epitaxial growth of β-SiC using an ion beam synthesized (IBS) β-SiC layer as seed, which has been formed by multiple implantation into Si wafers at 500 °C. The ion beam synthesized continuous layer is constituted by β-SiC nanocrystals that are well oriented relative to the silicon substrate. Comparison of the epitaxial growth on these samples with that on silicon test samples, both on and off-axis, is performed. The results show that the epitaxial growth can be achieved on the IBS samples without the need of the carbonization step and that the structural quality of the CVD layer is comparable to that obtained on a carbonized silicon sample. Improvement of the quality of the deposited layer is proposed.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Materialteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Materials Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- CVD growth
- FTIR
- ion beam synthesis
- TEM
- XRD
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
- Av författaren/redakt...
-
Romano-Rodriguez ...
-
Perez-Rodriguez, ...
-
Serre, C.
-
Morante, J. R.
-
Esteve, J.
-
Acero, M. C.
-
visa fler...
-
Kögler, R.
-
Skorupa, W.
-
Östling, Mikael
-
Nordell, Nils
-
Karlsson, S.
-
Van Landuyt, J.
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Materialteknik
- Artiklar i publikationen
- Silicon Carbide ...
- Av lärosätet
-
Kungliga Tekniska Högskolan