Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:hh-16457" >
Quantum-dot-induced...
Quantum-dot-induced optical transition enhancement in InAs quantum-dot-embedded p-i-n GaAs solar cells
-
- Shang, X. -J (författare)
- KTH,Teoretisk kemi och biologi,Chinese Academy of Sciences
-
- He, J.-F. (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Li, M.-F. (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
visa fler...
-
- Zhan, F. (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Ni, H.-Q. (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Niu, Z.-C. (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Pettersson, Håkan (författare)
- Högskolan i Halmstad,Tillämpad matematik och fysik (MPE-lab),Nanovetenskap
-
- Fu, Ying, 1964- (författare)
- KTH,Teoretisk kemi och biologi,Division of Theoretical Chemistry and Biology, School of Biotechnology, Royal Institute of Technology, Stockholm, Sweden
-
- Pettersson, Hans (författare)
- Lund University,Lunds universitet,MAX IV-laboratoriet,MAX IV Laboratory
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- New York, N.Y. American Institute of Physics (AIP), 2011
- 2011
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Physics Letters. - New York, N.Y. : American Institute of Physics (AIP). - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 99:11, s. 113514-113514-3
- Relaterad länk:
-
https://hh.diva-port... (primary) (Raw object)
-
visa fler...
-
http://hh.diva-porta...
-
http://dx.doi.org/10...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://lup.lub.lu.s...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Photocurrents (PCs) of three p–i–n GaAs solar cells, sample A with InAs quantum dots (QDs) embedded in the depletion region, B with QDs in the n region, and C without QDs, were studied experimentally and theoretically. Above GaAs bandgap, the PC of A is increased, while B is decreased with respect to C, since in A, the QD-induced reflection of hole wave function increases its overlap with electron wave function so that the optical transition rate is enhanced, while carrier mobility in B is reduced due to QD-induced potential variations. Moreover, A and B have increased PCs in the sub-GaAs-bandgap range due to QD optical absorptions.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- Efficiency
- Photocurrent
- Quantum dots
- Solar cells
- Well infrared photodetector
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Shang, X. -J
-
He, J.-F.
-
Li, M.-F.
-
Zhan, F.
-
Ni, H.-Q.
-
Niu, Z.-C.
-
visa fler...
-
Pettersson, Håka ...
-
Fu, Ying, 1964-
-
Pettersson, Hans
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
-
Applied Physics ...
- Av lärosätet
-
Högskolan i Halmstad
-
Kungliga Tekniska Högskolan
-
Lunds universitet