Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kau-65964" >
Nanoscale structura...
Nanoscale structural damage due to focused ion beam milling of silicon with Ga-ions
-
- Salvati, E. (författare)
- Oxford university, England
-
- Brandt, L. R. (författare)
- Oxford university, England
-
- Papadaki, C. (författare)
- Oxford university, England
-
visa fler...
-
- Zhang, H. (författare)
- Oxford university, England
-
- Mousavi, Mahmoud, 1983- (författare)
- Karlstads universitet,Institutionen för ingenjörsvetenskap och fysik (from 2013)
-
- Wermeille, D. (författare)
- ESRF, XMaS Beamline, Frankrike
-
- Korsunsky, A. M. (författare)
- Oxford university, England
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Elsevier, 2018
- 2018
- Engelska.
-
Ingår i: Materials letters (General ed.). - : Elsevier. - 0167-577X .- 1873-4979. ; 213, s. 346-349
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The exposure of sample to Focused Ion Beam leads to Ga-ion implantation, damage, material amorphisation, and the introduction of sources of residual stress; namely eigenstrain. In this study we employ synchrotron X-ray Reflectivity technique to characterise the amorphous layer generated in a single crystal Silicon sample by exposure to Ga-ion beam. The thickness, density and interface roughness of the amorphous layer were extracted from the analysis of the reflectivity curve. The outcome is compared with the eigenstrain profile evaluated from residual stress analysis by Molecular Dynamics and TEM imaging reported in the literature. (c) 2017 Elsevier B.V. All rights reserved.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences (hsv//eng)
Nyckelord
- Physics
- Fysik
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas