Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-122437" >
Long-wavelength inf...
Long-wavelength infrared photoluminescence from InGaSb/InAs quantum dots
-
- Gustafsson, Oscar (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar,KTH Royal Institute of Technology, Sweden
-
- Karim, Amir (författare)
- RISE,Acreo
-
- Wang, Qin (författare)
- RISE,Acreo
-
visa fler...
-
- Berggren, Jesper (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar,KTH Royal Institute of Technology, Sweden
-
- Asplund, Carl (författare)
- IRnova AB, Sweden
-
- Andersson, Jan Y. (författare)
- RISE,Acreo
-
- Hammar, Mattias (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar,KTH Royal Institute of Technology, Sweden
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Elsevier BV, 2013
- 2013
- Engelska.
-
Ingår i: Infrared physics & technology. - : Elsevier BV. - 1350-4495 .- 1879-0275. ; 59, s. 89-92
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We study the growth of self-assembled InGaSb/InAs quantum dots (QDs) and investigate how gallium can be used to reduce the optical transition energy in the InSb QD system. InGaSb QDs were grown on InAs (0 0 1) substrates by metal-organic vapor-phase epitaxy (MOVPE) and the material was characterized by photoluminescence (PL) measurements. A PL peak wavelength is demonstrated beyond 8 μm at 77 K, which is significantly longer than what has been reported for InSb QDs. The results suggest that InGaSb QDs can be grown at a larger size than InSb QDs leading to reduced confinement in the QDs.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Annan fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Other Physics Topics (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Data- och informationsvetenskap (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Computer and Information Sciences (hsv//eng)
Nyckelord
- InGaSb
- QD
- MOVPE
- LWIR
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas