Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-133365" >
A study of low-freq...
A study of low-frequency noise on high-k/metal gate stacks with in situ SiOx interfacial layer
-
- Olyaei, Maryam (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
- Malm, B. Gunnar (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
- Dentoni Litta, Eugenio (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
visa fler...
-
- Hellström, Per-Erik (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
- Östling, Mikael (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- New York : IEEE conference proceedings, 2013
- 2013
- Engelska.
-
Ingår i: 2013 22nd International Conference on Noise and Fluctuations, ICNF 2013. - New York : IEEE conference proceedings. - 9781479906680 ; , s. 1-4
- Relaterad länk:
-
http://ieeexplore.ie...
-
visa fler...
-
https://kth.diva-por... (primary) (Raw object)
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Low-frequency noise of HfO2/TiN nMOSFETs with different SiO x interfacial layer (IL) thicknesses is presented. It is observed that chemically formed thin ILs (0.4 nm, 0.45 nm and 0.5 nm) show a noise level close to a reference thermal IL(1 nm). This is shown to relate to the dominant contribution of the high-k HfO2 traps in comparison to the IL traps. The average extracted values for effective trap densities in these wafers are Nt= 7×1018, 1×1019, 2×10 19 and 4.8×1019 for thermal oxide, 0.5 nm, 0.45 nm and 0.4 nm chemical oxide wafers respectively.
Nyckelord
- Chemicaloxied
- high-k dielectric
- interfacial layer
- Low-frequency noise
- MOSFET
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas