Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-14032" >
Surface-energy trig...
Surface-energy triggered phase formation and epitaxy in nanometer-thick Ni1-xPtx silicide films
-
- Luo, Jun (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar,Royal Institute of Technology
-
- Qiu, Zhijun (författare)
- Fudan University
-
- Zha, Chaolin (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar,Royal Institute of Technology
-
visa fler...
-
- Zhang, Zhen (författare)
- Uppsala universitet,KTH,Integrerade komponenter och kretsar,Fasta tillståndets elektronik,Royal Institute of Technology
-
- Wu, Dongping (författare)
- Fudan University
-
- Lu, Jun (författare)
- Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan
-
- Åkerman, Johan (författare)
- Gothenburg University,Göteborgs universitet,KTH,Integrerade komponenter och kretsar,Institutionen för fysik (GU),Department of Physics (GU),Royal Institute of Technology
-
- Östling, Mikael (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar,Royal Institute of Technology
-
- Hultman, Lars (författare)
- Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
-
- Zhang, Shi-Li (författare)
- Uppsala universitet,KTH,Integrerade komponenter och kretsar,Fasta tillståndets elektronik,Royal Institute of Technology
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AIP Publishing, 2010
- 2010
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 96:3
- Relaterad länk:
-
http://link.aip.org/...
-
visa fler...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://gup.ub.gu.se...
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The formation of ultrathin silicide films of Ni1-xPtx at 450-850 degrees C is reported. Without Pt (x=0) and for t(Ni)< 4 nm, epitaxially aligned NiSi2-y films readily grow and exhibit extraordinary morphological stability up to 800 degrees C. For t(Ni)>= 4 nm, polycrystalline NiSi films form and agglomerate at lower temperatures for thinner films. Without Ni (x=1) and for t(Pt)=1-20 nm, the annealing behavior of the resulting PtSi films follows that for the NiSi films. The results for Ni1-xPtx of other compositions support the above observations. Surface energy is discussed as the cause responsible for the distinct behavior in phase formation and morphological stability.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- annealing
- crystal morphology
- metallic epitaxial layers
- nanostructured materials
- nickel alloys
- nickel compounds
- surface energy
- NISI
- SI
- TECHNOLOGY
- COSI2
- Physics
- Fysik
- TECHNOLOGY
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Luo, Jun
-
Qiu, Zhijun
-
Zha, Chaolin
-
Zhang, Zhen
-
Wu, Dongping
-
Lu, Jun
-
visa fler...
-
Åkerman, Johan
-
Östling, Mikael
-
Hultman, Lars
-
Zhang, Shi-Li
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
-
och Annan elektrotek ...
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
-
Applied Physics ...
- Av lärosätet
-
Kungliga Tekniska Högskolan
-
Uppsala universitet
-
Göteborgs universitet
-
Linköpings universitet