Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-14464" >
A 4-mb toggle MRAM ...
A 4-mb toggle MRAM based on a novel bit and switching method
-
Engel, B. N. (författare)
-
- Åkerman, Johan (författare)
- KTH,Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP
-
Butcher, B. (författare)
-
visa fler...
-
Dave, R. W. (författare)
-
DeHerrera, M. (författare)
-
Durlam, M. (författare)
-
Grynkewich, G. (författare)
-
Janesky, J. (författare)
-
Pietambaram, S. V. (författare)
-
Rizzo, N. D. (författare)
-
Slaughter, J. M. (författare)
-
Smith, K. (författare)
-
Sun, J. J. (författare)
-
Tehrani, S. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2005
- 2005
- Engelska.
-
Ingår i: IEEE transactions on magnetics. - 0018-9464 .- 1941-0069. ; 41:1, s. 132-136
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- 4-Mb magnetoresistive random access memory (MRAM) with a novel magnetic bit cell and toggle switching mode is presented. The circuit was designed in a five level metal, 0.18-mum complementary metal-oxide-semiconductor process with a bit cell size of 1.55 mum(2). The new bit cell uses a balanced synthetic antiferromagnetic free layer and a phased write pulse sequence to provide robust switching performance with immunity from half-select disturbs. This switching mode greatly improves the operational performance of the MRAM as compared to conventional MRAM. A detailed description of this 4-Mb toggle MRAM is presented.
Nyckelord
- magnetic film memories
- magnetic tunnel junction
- magnetoresistive device
- magnetoresistive random access memory (MRAM)
- micromagnetic switching
- MRAM integration
- random access memories (RAMs)
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Engel, B. N.
-
Åkerman, Johan
-
Butcher, B.
-
Dave, R. W.
-
DeHerrera, M.
-
Durlam, M.
-
visa fler...
-
Grynkewich, G.
-
Janesky, J.
-
Pietambaram, S. ...
-
Rizzo, N. D.
-
Slaughter, J. M.
-
Smith, K.
-
Sun, J. J.
-
Tehrani, S.
-
visa färre...
- Artiklar i publikationen
-
IEEE transaction ...
- Av lärosätet
-
Kungliga Tekniska Högskolan