Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-14727" >
Enhanced boron diff...
Enhanced boron diffusion in excimer laser preannealed Si
-
Monakhov, E. V. (författare)
-
Svensson, B. G. (författare)
-
- Linnarsson, Margareta K. (författare)
- KTH,Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP
-
visa fler...
-
La Magna, A. (författare)
-
Spinella, C. (författare)
-
Bongiorno, C. (författare)
-
Privitera, V. (författare)
-
Fortunato, G. (författare)
-
Mariucci, L. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- AIP Publishing, 2005
- 2005
- Engelska.
-
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 86:15
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We have investigated boron diffusion during rapid thermal annealing in Si implanted with boron using an energy of 1 keV and a dose of 1 x 10(16) cm(-2). Two types of samples have been studied: As-implanted and pretreated with excimer laser annealing. For both types an enhanced diffusion of boron has been observed with an enhancement by a factor of 3-5 over the standard diffusion. It is suggested that the high concentration of implanted boron is a dominant factor for the diffusion enhancement as compared to the effect of implantation-induced damage. The data indicate that the proximity of the surface can also affect the boron diffusion enhancement.
Nyckelord
- energy implanted boron
- dopant diffusion
- silicon
- redistribution
- temperature
- injection
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas