Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-151171" >
Electrical properti...
-
Gomeniuk, Y. Y.
(författare)
Electrical properties of high-k LaLuO3 gate oxide for SOI MOSFETs
- Artikel/kapitelEngelska2011
Förlag, utgivningsår, omfång ...
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-151171
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-151171URI
-
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMR.276.87DOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:kon swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
QC 20140917
-
The paper presents the results of electrical characterization of MOS capacitors and SOI MOSFETs with novel high-? LaLuO3 dielectric as a gate oxide. The energy distribution of interface state density at LaLuO 3/Si interface is presented and typical maxima of 1.2×10 11 eV-1cm-2 was found at about 0.25 eV from the silicon valence band. The output and transfer characteristics of the n- and p-MOSFET (channel length and width were 1 μm and 50 μm, respectively) are presented. The front channel mobility appeared to be 126 cm2V -1s-1 and 70 cm2V-1s-1 for n- and p-MOSFET, respectively. The front channel threshold voltages as well as the density of states at the back interface are presented.
Ämnesord och genrebeteckningar
-
TEKNIK OCH TEKNOLOGIER Materialteknik hsv//swe
-
ENGINEERING AND TECHNOLOGY Materials Engineering hsv//eng
-
Channel mobility
-
High-k oxide
-
Interface states density
-
LaLuO3
-
Lanthanum lutetium oxide
-
Molecular beam deposition MBD
-
MOSFET
-
SOI
-
Threshold voltage
-
Transconductance
-
High-k oxides
-
LaLuO<sub>3</sub>
-
MOS-FET
-
Characterization
-
Chemical modification
-
Electric properties
-
Gates (transistor)
-
Insulating materials
-
Lanthanum oxides
-
MOS capacitors
-
Semiconductor devices
-
MOSFET devices
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Gomeniuk, Y. V.
(författare)
-
Nazarov, A. N.
(författare)
-
Hurley, P. K.
(författare)
-
Cherkaoui, K.
(författare)
-
Monaghan, S.
(författare)
-
Hellström, Per-ErikKTH(Swepub:kth)u1hzct4j
(författare)
-
Gottlob, H. D. B.
(författare)
-
Schubert, J.
(författare)
-
Lopes, J. M. J.
(författare)
-
KTH
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:6th International Workshop on Semiconductor-on-Insulator Materials and Devices, s. 87-939783037851784
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Gomeniuk, Y. Y.
-
Gomeniuk, Y. V.
-
Nazarov, A. N.
-
Hurley, P. K.
-
Cherkaoui, K.
-
Monaghan, S.
-
visa fler...
-
Hellström, Per-E ...
-
Gottlob, H. D. B ...
-
Schubert, J.
-
Lopes, J. M. J.
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Materialteknik
- Artiklar i publikationen
-
6th Internationa ...
- Av lärosätet
-
Kungliga Tekniska Högskolan