Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-154880" >
Terahertz emission ...
Terahertz emission from phosphor centers in SiGe and SiGe/Si semiconductors
-
Pavlov, S. G. (författare)
-
Hübers, H. -W (författare)
-
Abrosimov, N. V. (författare)
-
visa fler...
-
Riemann, H. (författare)
-
- Radamson, Henry H. (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
Bekin, N. A. (författare)
-
Yablonsky, A. N. (författare)
-
Zhukavin, R.Kh. (författare)
-
Drozdov, Yu.N. (författare)
-
Shastin, V. N. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2008
- 2008
- Engelska.
-
Serie: Solid State Phenomena, 1012-0394
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Terahertz-range photoluminescence from silicon-germanium crystals and superlattices doped by phosphor has been studied under optical excitation by radiation from a mid-infrared CO2 laser at low temperature. SiGe crystals with a Ge content between 0.9 and 6.5%, doped by phosphor with a concentration optimal for silicon laser operation, do not exhibit terahertz gain. On the contrary, terahertz-range gain of ∼ 2.3-3.2 cm-1 has been observed for donor-related optical transitions in Si/SiGe strained superlattices at pump intensities above 100 kW/cm2.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences (hsv//eng)
Nyckelord
- Silicon-germanium
- Terahertz emission
- Pump intensities
- Silicon laser operation
- Laser optics
- Optical pumping
- Optical transitions
- Phosphors
- Photoexcitation
- Superlattices
- Semiconducting silicon compounds
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
- Av författaren/redakt...
-
Pavlov, S. G.
-
Hübers, H. -W
-
Abrosimov, N. V.
-
Riemann, H.
-
Radamson, Henry ...
-
Bekin, N. A.
-
visa fler...
-
Yablonsky, A. N.
-
Zhukavin, R.Kh.
-
Drozdov, Yu.N.
-
Shastin, V. N.
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
- Delar i serien
-
Solid State Phen ...
- Av lärosätet
-
Kungliga Tekniska Högskolan