Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-163477" >
5.8-kV Implantation...
5.8-kV Implantation-Free 4H-SiC BJT With Multiple-Shallow-Trench Junction Termination Extension
-
- Elahipanah, Hossein (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
- Salemi, Arash (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
- Zetterling, Carl-Mikael (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
visa fler...
-
- Östling, Mikael (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2015
- 2015
- Engelska.
-
Ingår i: IEEE Electron Device Letters. - : Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE). - 0741-3106 .- 1558-0563. ; 36:2, s. 168-170
- Relaterad länk:
-
http://ieeexplore.ie...
-
visa fler...
-
https://kth.diva-por... (primary) (Raw object)
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Implantation-free 4H-SiC bipolar junction transistors with multiple-shallow-trench junction termination extension have been fabricated. The maximum current gain of 40 at a current density of 370 A/cm(2) is obtained for the device with an active area of 0.065 mm(2). A maximum open-base breakdown voltage (BV) of 5.85 kV is measured, which is 93% of the theoretical BV. A specific ON-resistance (R-ON) of 28 m Omega.cm(2) was obtained.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- 4H-SiC
- multiple-shallow-trench JTE
- implantation-free
- high-voltage BJT
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas