Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-16824" >
Dynamic spin-polari...
Dynamic spin-polarized resonant tunneling in magnetic tunnel junctions
-
Miller, Casey W. (författare)
-
Li, Zhi-Pan (författare)
-
Schuller, Ivan K. (författare)
-
visa fler...
-
Dave, R. W. (författare)
-
Slaughter, J. M. (författare)
-
- Åkerman, Johan (författare)
- KTH,Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2007
- 2007
- Engelska.
-
Ingår i: Physical Review Letters. - 0031-9007 .- 1079-7114. ; 99:4
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Precisely engineered tunnel junctions exhibit a long sought effect that occurs when the energy of the electron is comparable to the potential energy of the tunneling barrier. The resistance of metal-insulator-metal tunnel junctions oscillates with an applied voltage when electrons that tunnel directly into the barrier's conduction band interfere upon reflection at the classical turning points: the insulator-metal interface and the dynamic point where the incident electron energy equals the potential barrier inside the insulator. A model of tunneling between free electron bands using the exact solution of the Schrodinger equation for a trapezoidal tunnel barrier qualitatively agrees with experiment.
Nyckelord
- random-access memory
- electron
- magnetoresistance
- criteria
- gap
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas