Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-169969" >
Residual Metallic C...
Residual Metallic Contamination of Transferred Chemical Vapor Deposited Graphene
-
Lupina, Grzegorz (författare)
-
Kitzmann, Julia (författare)
-
Costina, Ioan (författare)
-
visa fler...
-
Lukosius, Mindaugas (författare)
-
Wenger, Christian (författare)
-
Wolff, Andre (författare)
-
- Vaziri, Sam (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
- Östling, Mikael (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
Pasternak, Iwona (författare)
-
Krajewska, Aleksandra (författare)
-
Strupinski, Wlodek (författare)
-
Kataria, Satender (författare)
-
Gahoi, Amit (författare)
-
Lemme, Max C. (författare)
-
Ruhl, Guenther (författare)
-
Zoth, Guenther (författare)
-
Luxenhofer, Oliver (författare)
-
Mehr, Wolfgang (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2015-04-28
- 2015
- Engelska.
-
Ingår i: ACS Nano. - : American Chemical Society (ACS). - 1936-0851 .- 1936-086X. ; 9:5, s. 4776-4785
- Relaterad länk:
-
https://doi.org/10.1...
-
visa fler...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Integration of graphene with Si microelectronics is very appealing by offering a potentially broad range of new functionalities. New materials to be integrated with the Si platform must conform to stringent purity standards. Here, we investigate graphene layers grown on copper foils by chemical vapor deposition and transferred to silicon wafers by wet etching and electrochemical delamination methods with respect to residual submonolayer metallic contaminations. Regardless of the transfer method and associated cleaning scheme, time-of-flight secondary ion mass spectrometry and total reflection X-ray fluorescence measurements indicate that the graphene sheets are contaminated with residual metals (copper, iron) with a concentration exceeding 10(13) atoms/cm(2). These metal impurities appear to be partially mobile upon thermal treatment, as shown by depth profiling and reduction of the minority charge carrier diffusion length in the silicon substrate. As residual metallic impurities can significantly alter electronic and electrochemical properties of graphene and can severely impede the process of integration with silicon microelectronics, these results reveal that further progress in synthesis, handling, and cleaning of graphene is required to advance electronic and optoelectronic applications.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Annan teknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Other Engineering and Technologies (hsv//eng)
Nyckelord
- CVD graphene
- transfer
- metallic contaminations
- ToF-SIMS
- TXRF
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
-
ACS Nano
(Sök värdpublikationen i LIBRIS)
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Lupina, Grzegorz
-
Kitzmann, Julia
-
Costina, Ioan
-
Lukosius, Mindau ...
-
Wenger, Christia ...
-
Wolff, Andre
-
visa fler...
-
Vaziri, Sam
-
Östling, Mikael
-
Pasternak, Iwona
-
Krajewska, Aleks ...
-
Strupinski, Wlod ...
-
Kataria, Satende ...
-
Gahoi, Amit
-
Lemme, Max C.
-
Ruhl, Guenther
-
Zoth, Guenther
-
Luxenhofer, Oliv ...
-
Mehr, Wolfgang
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Annan teknik
- Artiklar i publikationen
-
ACS Nano
- Av lärosätet
-
Kungliga Tekniska Högskolan