Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-183209" >
Protective capping ...
Protective capping and surface passivation of III-V nanowires by atomic layer deposition
- Artikel/kapitelEngelska2016
Förlag, utgivningsår, omfång ...
-
American Institute of Physics (AIP),2016
-
printrdacarrier
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-183209
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-183209URI
-
https://doi.org/10.1063/1.4941063DOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
QC 20160303
-
Low temperature (similar to 200 degrees C) grown atomic layer deposition (ALD) films of AlN, TiN, Al2O3, GaN, and TiO2 were tested for protective capping and surface passivation of bottom-up grown III-V (GaAs and InP) nanowires (NWs), and top-down fabricated InP nanopillars. For as-grown GaAs NWs, only the AlN material passivated the GaAs surface as measured by photoluminescence (PL) at low temperatures (15K), and the best passivation was achieved with a few monolayer thick (2 angstrom) film. For InP NWs, the best passivation (similar to 2x enhancement in room-temperature PL) was achieved with a capping of 2nm thick Al2O3. All other ALD capping layers resulted in a de-passivation effect and possible damage to the InP surface. Top-down fabricated InP nanopillars show similar passivation effects as InP NWs. In particular, capping with a 2 nm thick Al2O3 layer increased the carrier decay time from 251 ps (as-etched nanopillars) to about 525 ps. Tests after six months ageing reveal that the capped nanostructures retain their optical properties. Overall, capping of GaAs and InP NWs with high-k dielectrics AlN and Al2O3 provides moderate surface passivation as well as long term protection from oxidation and environmental attack.
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Perros, Alexander
(författare)
-
Naureen, Shagufta
(författare)
-
Shahid, Naeem
(författare)
-
Jiang, Hua
(författare)
-
Kakko, Joona-Pekko
(författare)
-
Haggren, Tuomas
(författare)
-
Kauppinen, Esko
(författare)
-
Srinivasan, AnandKTH,Halvledarmaterial, HMA(Swepub:kth)u16fqvka
(författare)
-
Lipsanen, Harri
(författare)
-
KTHHalvledarmaterial, HMA
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:AIP Advances: American Institute of Physics (AIP)6:12158-3226
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Dhaka, Veer
-
Perros, Alexande ...
-
Naureen, Shaguft ...
-
Shahid, Naeem
-
Jiang, Hua
-
Kakko, Joona-Pek ...
-
visa fler...
-
Haggren, Tuomas
-
Kauppinen, Esko
-
Srinivasan, Anan ...
-
Lipsanen, Harri
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Nanoteknik
- Artiklar i publikationen
-
AIP Advances
- Av lärosätet
-
Kungliga Tekniska Högskolan