Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-187205" >
Bias-temperature in...
Bias-temperature instability on the back gate of single-layer double-gated graphene field-effect transistors
-
Illarionov, Y.Yu. (författare)
-
Waltl, M. (författare)
-
- Smith, Anderson David (författare)
- KTH,Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT)
-
visa fler...
-
- Vaziri, Sam (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
- Östling, Mikael (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
Lemme, M. C. (författare)
-
Grasser, T. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Institute of Physics (IOP), 2016
- 2016
- Engelska.
-
Ingår i: Japanese Journal of Applied Physics. - : Institute of Physics (IOP). - 0021-4922 .- 1347-4065. ; 55:4
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.7...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We study the positive and negative bias-temperature instabilities (PBTI and NBTI) on the back gate of single-layer double-gated graphene fieldeffect transistors (GFETs). By analyzing the resulting degradation at different stress times and oxide fields we show that there is a significant asymmetry between PBTI and NBTI with respect to their dependences on these parameters. Finally, we compare the results obtained on the high-k top gate and SiO2 back gate of the same device and show that SiO2 gate is more stable with respect to BTI.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences (hsv//eng)
Nyckelord
- Graphene
- Graphene transistors
- Integrated circuits
- Reconfigurable hardware
- Back gates
- Bias temperature instability
- Graphene field-effect transistors
- High- k
- Negative bias temperature instability
- Single layer
- Stress time
- Top gate
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas