Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-19386" > Defect-induced stro...
Fältnamn | Indikatorer | Metadata |
---|---|---|
000 | 02950naa a2200481 4500 | |
001 | oai:DiVA.org:kth-19386 | |
003 | SwePub | |
008 | 100805s2010 | |||||||||||000 ||eng| | |
009 | oai:DiVA.org:uu-136997 | |
024 | 7 | a https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-193862 URI |
024 | 7 | a https://doi.org/10.1016/j.ssc.2009.12.0222 DOI |
024 | 7 | a https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:uu:diva-1369972 URI |
040 | a (SwePub)kthd (SwePub)uu | |
041 | a engb eng | |
042 | 9 SwePub | |
072 | 7 | a ref2 swepub-contenttype |
072 | 7 | a art2 swepub-publicationtype |
100 | 1 | a Huang, L. M.u Uppsala universitet,Institutionen för fysik och materialvetenskap4 aut |
245 | 1 0 | a Defect-induced strong ferromagnetism in Cr-doped In2O3 from first-principles theory |
264 | 1 | b Elsevier BV,c 2010 |
338 | a print2 rdacarrier | |
500 | a QC 20100525 | |
520 | a We demonstrate by means of first-principles calculations that the high Curie temperature observed in Cr-doped In2O3 is mediated by intrinsic p-type defects, namely In vacancies or O interstitials. Charge transfer from Cr 3d states to the hole states formed by these defects makes Cr ions in the mixed valence state, giving rise to a strong ferromagnetic coupling. Calculated formation energies of various defects also show that doping Cr in In2O3 could greatly lower the formation energies of p-type intrinsic defects even in oxygen-deficient growth conditions. These results advance our understanding of the underlying physics of diluted magnetic oxides. | |
650 | 7 | a NATURVETENSKAPx Fysikx Den kondenserade materiens fysik0 (SwePub)103042 hsv//swe |
650 | 7 | a NATURAL SCIENCESx Physical Sciencesx Condensed Matter Physics0 (SwePub)103042 hsv//eng |
650 | 7 | a NATURVETENSKAPx Fysik0 (SwePub)1032 hsv//swe |
650 | 7 | a NATURAL SCIENCESx Physical Sciences0 (SwePub)1032 hsv//eng |
653 | a Semiconductors | |
653 | a Impurities in semiconductors | |
653 | a Electronic band structure | |
653 | a energy | |
653 | a oxide | |
653 | a Semiconductor physics | |
653 | a Halvledarfysik | |
653 | a Physics | |
700 | 1 | a Silvearv, F.u Uppsala universitet,Institutionen för fysik och materialvetenskap4 aut |
700 | 1 | a Araujo, Carlos Moysesu Uppsala universitet,KTH,Tillämpad materialfysik,Institutionen för fysik och materialvetenskap4 aut0 (Swepub:kth)u1wimzjk |
700 | 1 | a Ahuja, Rajeevu Uppsala universitet,KTH,Tillämpad materialfysik,Institutionen för fysik och materialvetenskap4 aut0 (Swepub:uu)rajeeva |
710 | 2 | a Uppsala universitetb Institutionen för fysik och materialvetenskap4 org |
773 | 0 | t Solid State Communicationsd : Elsevier BVg 150:13-14, s. 663-665q 150:13-14<663-665x 0038-1098x 1879-2766 |
856 | 4 8 | u https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-19386 |
856 | 4 8 | u https://doi.org/10.1016/j.ssc.2009.12.022 |
856 | 4 8 | u https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:uu:diva-136997 |
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy