Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-195030" >
4H-SiC neutron sens...
4H-SiC neutron sensors based on ion implanted 10B neutron converter layer
-
- Issa, F. (författare)
- Univ Aix Marseille, F-13397 Marseille, France.
-
- Ottaviani, L. (författare)
- Univ Aix Marseille, F-13397 Marseille, France.
-
- Szalkai, D. (författare)
- Karlsruhe Inst Technol, Inst Neutron Phys & Reactor Technol, D-76344 Karlsruhe, Germany.
-
visa fler...
-
- Vermeeren, L. (författare)
- SCK CEN, B-2400 Mol, Belgium.
-
- Vervisch, V. (författare)
- Univ Aix Marseille, F-13397 Marseille, France.
-
- Lyoussi, A. (författare)
- CEA, Lab Dosimetrie Capteurs Instrumentat, F-13108 Cadarache, France.
-
- Ferone, R. (författare)
- Univ Aix Marseille, F-13397 Marseille, France.
-
- Kuznetsov, A. (författare)
- Univ Oslo, NO-0316 Oslo, Norway.
-
- Lazar, M. (författare)
- AMPERE UMR 5005 INSA Lyon, F-69621 Villeurbanne, France.
-
- Klix, A. (författare)
- Karlsruhe Inst Technol, Inst Neutron Phys & Reactor Technol, D-76344 Karlsruhe, Germany.
-
- Palais, O. (författare)
- Univ Aix Marseille, F-13397 Marseille, France.
-
- Hallén, Anders (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar,Elektronik,S-16440 Kista, Sweden.
-
visa färre...
-
Univ Aix Marseille, F-13397 Marseille, France Karlsruhe Inst Technol, Inst Neutron Phys & Reactor Technol, D-76344 Karlsruhe, Germany. (creator_code:org_t)
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2015
- 2015
- Engelska.
-
Ingår i: 2015 4th International Conference on Advancements in Nuclear Instrumentation Measurement Methods and their Applications, ANIMMA 2015. - : Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE). - 9781479999187
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- In the framework of the I-SMART project the main aim is to develop an innovative complete radiation detection system based on silicon carbide technology in view to detect neutrons (thermal and fast) and photons for harsh environments. In the present work two geometries have been realized based on ion implantation of boron. In the first geometry, 10B ions have been implanted into the Al metallic contact of a p-n diode to create the neutron converter layer. In the second geometry one single process has been used to realize both the p+-layer and the neutron converter layer. The technological processes followed to fabricate these detectors, with a study of their electrical behavior and their responses under thermal neutron irradiations are addressed in this paper.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Acceleratorfysik och instrumentering (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Accelerator Physics and Instrumentation (hsv//eng)
Nyckelord
- Geometry
- Ion implantation
- Ions
- Neutron sources
- Neutrons
- Nuclear instrumentation
- Semiconductor diodes
- Silicon carbide
- Electrical behaviors
- Harsh environment
- Metallic contacts
- Neutron converters
- Neutron sensors
- Radiation detection system
- Smart projects
- Technological process
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Issa, F.
-
Ottaviani, L.
-
Szalkai, D.
-
Vermeeren, L.
-
Vervisch, V.
-
Lyoussi, A.
-
visa fler...
-
Ferone, R.
-
Kuznetsov, A.
-
Lazar, M.
-
Klix, A.
-
Palais, O.
-
Hallén, Anders
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
-
och Annan elektrotek ...
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Acceleratorfysik ...
- Artiklar i publikationen
-
2015 4th Interna ...
- Av lärosätet
-
Kungliga Tekniska Högskolan