Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-19508" >
Ultradeep, low-dama...
Ultradeep, low-damage dry etching of SiC
- Artikel/kapitelEngelska2000
Förlag, utgivningsår, omfång ...
-
AIP Publishing,2000
-
printrdacarrier
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-19508
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-19508URI
-
https://doi.org/10.1063/1.125879DOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
QC 20100525
-
The Schottky barrier height (Phi(B)) and reverse breakdown voltage (V-B) of Au/n-SiC diodes were used to examine the effect of inductively coupled plasma SF6/O-2 discharges on the near-surface electrical properties of SiC. For low ion energies (less than or equal to 60 eV) in the discharge, there is minimal change in Phi(B) and V-B, but both parameters degrade at higher energies. Highly anisotropic features typical of through-wafer via holes were formed in SiC using an Al mask.
Ämnesord och genrebeteckningar
-
power devices
-
nf3
-
plasmas
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Leerungnawarat, P.
(författare)
-
Hays, D. C.
(författare)
-
Pearton, S. J.
(författare)
-
Chu, S. N. G.
(författare)
-
Strong, R. M.
(författare)
-
Zetterling, Carl-MikaelKTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT(Swepub:kth)u15o61ns
(författare)
-
Östling, MikaelKTH,Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT(Swepub:kth)u1u0kle4
(författare)
-
Ren, F.
(författare)
-
KTHMikroelektronik och informationsteknik, IMIT
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Applied Physics Letters: AIP Publishing76:6, s. 739-7410003-69511077-3118
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas