Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-195420" >
4H-SiC nMOSFETs wit...
4H-SiC nMOSFETs with As-Doped S/D and NbNi silicide ohmic contacts
-
Nagatsuma, H. (författare)
-
Kuroki, S. I. (författare)
-
de Silva, M. (författare)
-
visa fler...
-
Ishikawa, S. (författare)
-
Maeda, T. (författare)
-
Sezaki, H. (författare)
-
Kikkawa, T. (författare)
-
- Östling, Mikael (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
- Zetterling, Carl-Michael (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Trans Tech Publications Ltd, 2016
- 2016
- Engelska.
-
Ingår i: 16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM 2015. - : Trans Tech Publications Ltd. - 9783035710427 ; , s. 573-576
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.4...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- 4H-SiC nMOSFETs with As-doped S/D and NbNi silicide ohmic contacts were demonstrated for radiation-hard CMOS electronics. The threshold voltage Vth was designed to be 3.0 V by TCAD simulation, and was 3.6 – 3.8 V at the fabricated devices. On / off ratio was approximately 105.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Materialteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Materials Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- Carbon aggregation
- Harsh environment
- nMOSFET
- SiC
- Carbon
- Electric breakdown
- Electric contactors
- MOSFET devices
- Ohmic contacts
- Silicides
- Threshold voltage
- As-doped
- Fabricated device
- nMOSFETs
- On/off ratio
- Radiation hard
- TCAD simulation
- Silicon carbide
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas