Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-195420" >
4H-SiC nMOSFETs wit...
-
Nagatsuma, H.
(författare)
4H-SiC nMOSFETs with As-Doped S/D and NbNi silicide ohmic contacts
- Artikel/kapitelEngelska2016
Förlag, utgivningsår, omfång ...
-
Trans Tech Publications Ltd,2016
-
printrdacarrier
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:kth-195420
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-195420URI
-
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.858.573DOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:kon swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
QC 20161128
-
4H-SiC nMOSFETs with As-doped S/D and NbNi silicide ohmic contacts were demonstrated for radiation-hard CMOS electronics. The threshold voltage Vth was designed to be 3.0 V by TCAD simulation, and was 3.6 – 3.8 V at the fabricated devices. On / off ratio was approximately 105.
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Kuroki, S. I.
(författare)
-
de Silva, M.
(författare)
-
Ishikawa, S.
(författare)
-
Maeda, T.
(författare)
-
Sezaki, H.
(författare)
-
Kikkawa, T.
(författare)
-
Östling, MikaelKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u1u0kle4
(författare)
-
Zetterling, Carl-MichaelKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u15o61ns
(författare)
-
KTHIntegrerade komponenter och kretsar
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM 2015: Trans Tech Publications Ltd, s. 573-5769783035710427
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas