Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-195447" >
Characterization of...
Characterization of 4H-SiC nMOSFETs in harsh environments, high-temperature and high gamma-ray radiation
-
Kuroki, S. I. (författare)
-
Nagatsuma, H. (författare)
-
de Silva, M. (författare)
-
visa fler...
-
Ishikawa, S. (författare)
-
Maeda, T. (författare)
-
Sezaki, H. (författare)
-
Kikkawa, T. (författare)
-
Makino, T. (författare)
-
Ohshima, T. (författare)
-
- Östling, Mikael (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
- Zetterling, Carl-Mikael (författare)
- KTH,Integrerade komponenter och kretsar
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Trans Tech Publications Ltd, 2016
- 2016
- Engelska.
-
Ingår i: 16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM 2015. - : Trans Tech Publications Ltd. - 9783035710427 ; , s. 864-867
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.4...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Characteristics of 4H-SiC nMOSFETs with arsenic-doped S/D and NbNi silicide contacts in harsh environments of high-temperature up to 450°C, and high gamma-ray radiation up to over 100 Mrad, were investigated. At high temperature, field effect mobility increased as proportional to T3/2, and threshold voltage was shifted with temperature coefficients of -4.3 mV/K and -2.6 mV/K for oxide thicknesses of 10 nm and 20 nm, respectively. After Co60 gamma-ray exposure of 113 Mrad, the field effect mobility was varied within 8% for oxide thickness of 10 nm, however for 20 nm oxide thickness, this variation was 26%. The threshold voltage shifts were within 6%.
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences (hsv//eng)
Nyckelord
- High gamma-ray radiation
- High-temperature
- SiC-nMOSFET
- Characterization
- Electric breakdown
- MOSFET devices
- Silicides
- Silicon carbide
- Threshold voltage
- Field-effect mobilities
- Gamma ray radiation
- Gamma-ray exposure
- Harsh environment
- High temperature
- NMOSFET
- Temperature coefficient
- Threshold voltage shifts
- Gamma rays
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Kuroki, S. I.
-
Nagatsuma, H.
-
de Silva, M.
-
Ishikawa, S.
-
Maeda, T.
-
Sezaki, H.
-
visa fler...
-
Kikkawa, T.
-
Makino, T.
-
Ohshima, T.
-
Östling, Mikael
-
Zetterling, Carl ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
- Artiklar i publikationen
-
16th Internation ...
- Av lärosätet
-
Kungliga Tekniska Högskolan